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136 《天线原理与设计》讲稿 王建 第八章 口径天线的理论基础 在第七章以前我们讨论的是线状天线，其特点是天线呈直线、折线或曲线状， 且天线的尺寸为波长的几分之一或数个波长。所构成的基本理论称之为线天线理 论。即使第七章的开槽缝隙天线，在分析时也是借助了缝隙天线的互补天线—金 属线天线来分析。 在实际工作中，还将遇到金属导体构成的口径天线和反射面天线。有时我们 统称为口面天线。它们包括：喇叭天线、透镜天线、抛物面天线、双反射面的卡 塞格伦天线等。见P169 图8-1。它们的尺寸可以是波长的十几到几十倍以上。 口面天线的分析模型如图8-1 所示： 图8-1 口面天线的分析模型 ′ ′ S 为天线金属导体面，S 为开口面，S ＋S 构成一个封闭面，封闭面内有一源。 对这样一个分析模型，要求解空间某点p 处的电磁场E 、H 。它们可描述 P P 为由两部分组成，一部分是源的直达波，一部分是由天线导体面上感应电流产生 的散射场。这种分析方法我们称之为面电流法。面电流法对反射面天线有效，它 是分析反射面天线的方法之一。但是，面电流法对喇叭天线、波导口天线一类的 口径天线无效，或者说处理很难。我们可采用口径场法。 口径场法步骤： 1、解内问题，即由场源求得口面上的场分布； 2 、解外问题，即由口面上场分布求解远区辐射场。 由此可见，反射面天线也可用口径场法分析。 喇叭天线一类：口径场法； 反射面天线一类：口经场法，面电流法。（近似方法） 有的反射面天线如抛物环面，由于口径场不易确定，还只得用面电流法。 口径场法和面电流法都是近似的方法，它们只能求出口径面前方半空间的辐 射场，口面后方半空间的场无法求得。实际上口面天线的外表面及口径边缘 L 上均有感应电流。这部分电流就是对口面天线后向辐射的主要贡献。但通常的做 法是采用几何绕射理论，求由边缘L 产生的绕射。 值得说明的是，口面天线的边缘绕射场与前方半空间的场相比是微不足道 的。 如果采用口径场法，那么，现在的问题是：能否用口径天线口面上的场分布 来确定天线辐射场？回答是肯定的，这就由惠更斯—菲涅尔原理来说明。 8.1 惠更斯—菲涅尔原理 见 P181 图8-7。经典波动光学指出，围绕振荡源作一封闭面，封闭面外任 意一点P 处的场可看作是：把封闭面上每一点都看作是一个新的小振荡源，每个 小振荡源在P 处产生的场的总和构成了该系统在P 点处的场。这就是惠更斯— 137 《天线原理与设计》讲稿 王建 菲涅尔原理。 把这个原理应用于天线问题，即是空间某点P 处的场，是包围天线的一个封 闭面上各点的次级场在P 点处迭加的结果。 对口面天线，所作封闭面有一部分是金属导体面S (见图 8-2)。其外表面上′ 的场为零，所以，按惠更斯—菲涅尔原理，口面天线的辐射问题，简化为开口面 S 的辐射。 图8-2 口径天线分析模型示意 求解口面天线的辐射场，须先求得开口面上的场分布，然后按惠更斯—菲涅 尔原理，把开口面分割成许多小面元。根据面元的辐射场，并在整个开口面S 上 积分，最后可求得口面天线的辐射场。 要按照这个过程求解口面天线的辐射场，还有一个问题必须解决，因为我们 知道，要求解一个辐射系统的辐射场，是根据振荡源( 电流源J 和磁流源M(Jm ) ) 来求解的，而不是直接由场来求场。根据等效原理，就可将口面天线口径面上的 电磁场等效为电、磁流。 8.2 等效原理 用图解说明这个问题，见图8-3。该图说明的是：已知口径面S 上的场E 和