第二章半导体中杂质和缺陷能级终稿.pptVIP

2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 2.1.1 替位式杂质 间隙式杂质 Si和Ge都具有金钢石结构，一个原胞含有8个原子。 原胞内8个原子的体积与立方原胞体积之比为34%，原胞内存在66%的空隙。 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 磷替代硅，其效果是形成一个正电中心P+和一个多余的价电子。这个多余的价电子就束缚在正电中心P+的周围（弱束缚）。 Ⅴ族元素有5个价电子，其中的四个价电子与周围的四个硅原子形成共价键，还剩余一个电子，同时Ⅴ族原子所在处也多余一个正电荷，称为正离子中心，所以，一个Ⅴ族原子取代一个硅原子，其效果是形成一个正电中心和一个多余的电子。 电子脱离杂质原子的束缚成为导电电子的过程称为杂质电离。 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 2.1.2 施主杂质、施主能级 多余的电子束缚在正电中心，但这种束缚很弱 很小的能量就可使电子摆脱束缚，成为在晶格中导电的自由电子，而Ⅴ族原子形成一个不能移动的正电中心。 硅、锗中的Ⅴ族杂质，能够释放电子而产生导电电子并形成正电中心，称为施主杂质或N型杂质，掺有N型杂质的半导体叫N型半导体。施主杂质未电离时是中性的，电离后成为正电中心。 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 被施主杂质束缚的电子的能量状态称为施主能级ED。 施主能级位于离导带低很近的禁带中 杂质原子间的相互作用可忽略，某一种