第二章半导体中杂质和缺陷能级终稿讲解.pptVIP

第二章半导体中的杂质和缺陷能级 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 2.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的杂质能级 2.3 缺陷和位错的能级 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 2.1.1 替位式杂质 间隙式杂质 Si和Ge都具有金钢石结构，一个原胞含有8个原子。 原胞内8个原子的体积与立方原胞体积之比为34%，原胞内存在66%的空隙。 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 磷替代硅，其效果是形成一个正电中心P+和一个多余的价电子。这个多余的价电子就束缚在正电中心P+的周围（弱束缚）。 Ⅴ族元素有5个价电子，其中的四个价电子与周围的四个硅原子形成共价键，还剩余一个电子，同时Ⅴ族原子所在处也多余一个正电荷，称为正离子中心，所以，一个Ⅴ族原子取代一个硅原子，其效果是形成一个正电中心和一个多余的电子。 电子脱离杂质原子的束缚成为导电电子的过程称为杂质电离。 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 2.1.2 施主杂质、施主能级 多余的电子束缚在正电中心，但这种束缚很弱 很小的能量就可使电子摆脱束缚，成为在晶格中导电的自由电子，而Ⅴ族原子形成一个不能移动的正电中心。 硅、锗中的Ⅴ族杂质，能够释放电子而产生导电电子并形成正电中心，称为施主杂质或N型杂质，掺有N型杂质的半导体叫N型半导体。施主杂质未电离时是中性的，电离后成为正电中心。 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 被施主杂质束缚的电子的能量状态称为施主能级ED。 施主能级位于离导带低很近的禁带中 杂质原子间的相互作用可忽略，某一种杂质的施主能级是一些具有相同能量的孤立能级。 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 2.1.3 受主杂质 受主能级 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 2.1.3受主杂质、受主能级 空穴束缚在Ⅲ族原子附近，但这种束缚很弱 很小的能量就可使空穴摆脱束缚，成为在晶格中自由运动的 导电空穴，而Ⅲ族原子形成一个不能移动的负电中心。 硅、锗中的Ⅲ族杂质，能够接受电子而在价带中产生空穴， 并形成负电中心的杂质，称为受主杂质或P型杂质，掺有P 型杂质的半导体叫P型半导体。受主杂质未电离时是中性的，电离后成为负电中心。 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 被受主杂质束缚的空穴的能量状态称为受主能级EA。 施主能级位于离价带顶很近的禁带中 杂质原子间的相互作用可忽略，某一种杂质的受主能级是一些具有相同能量的孤立能级。 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 2.1.4 浅能级杂质电离能的简单计算 采用类氢原子模型估算施主和受主杂质的电离能 氢原子中电子的能量： 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 晶体内杂质原子束缚的电子： m0?mn*, mp*; ?0 ? ?r?0 施主杂质的电离能： Si: Ge: 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 氢原子半径： 施主杂质半径： 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 2.1.5 杂质的补偿作用 当半导体中同时存在施主和受主杂质时，半导体是n型还是p型呢？ 在半导体中，若同时存在着施主和受主杂质，施受主杂质之间有互相抵消的作用，通常称为杂质的补偿作用。 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 1、当 NDNA 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 2.1.6 深能级杂质 在半导体硅、锗中，除Ⅲ、Ⅴ族杂质在禁带中形成浅能级外，其它各族元素掺入硅、锗中也会在禁带中产生能级 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 特点： 1、施主杂质能级距离导带底较远，受主杂质能级距离价带顶较远，这种能级称为深能级，相应的杂质称为深能级杂质。 2、深能级杂质能够产生多次电离，每次电离对应有一个能级。有的杂质既能引入施主能级，又能引入受主能级。 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 2.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的杂质能级 1、Ⅱ族元素为受主杂质 铍、镁、锌、镉取代Ⅲ族原子而处于晶格格点上，引入浅受主能级 2.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的杂质能级 2.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的杂质能级 3、Ⅵ族元素取代Ⅴ族原子，引入施主能级 Ⅵ族元素氧、硫、硒、碲比Ⅴ族元素多一个价电子而且容易失去，所以表现为施主杂质。 2.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的杂质能级 4、掺过渡族元素，制备高电阻率的半绝缘GaAs 5、 Ⅲ族的B、Al 取代Ga, Ⅴ族的P，锑取代As既 不是施主也不是受主杂质。 6、掺Ⅰ族元素 ，一般起受主作用。 2.3 氮化镓的杂质能级 目前常用硅作为GaN的n型掺杂，用镁，锌作为GaN的p型掺杂。 硅作为施主的电离能：0.012~0.0