场效电晶体之输入阻抗Zi.PPTVIP

* * 第八章 : 場效電晶體放大器 Boylestad and NashelskyElectronic Devices and Circuit Theory Copyright ?2006 by Pearson Education, Inc.Upper Saddle River, New Jersey 07458All rights reserved. * Boylestad and NashelskyElectronic Devices and Circuit Theory Copyright ?2006 by Pearson Education, Inc.Upper Saddle River, New Jersey 07458All rights reserved. § 8-1 引言 * ? 特性：1.具很高的輸入電阻。 2.具電壓放大功能。 3.為低消耗功率組 態。 4.提供良好的頻率範圍。 5.有極小之體積與重量。 ? 差異：1.BJT為 小IB→大IC，稱“電流控制式裝置”；FET為 小VGS→ID ，稱“電壓控制式裝置”。 2.交流小訊號模型較BJT簡單。 3.輸