模拟电子技术基础第八章.pptVIP

制作：李金平 第八章 MOS 模拟集成电路 第一节 概述 第二节 MOS 模拟集成单元电路 第三节 MOS 模拟集成运算放大器 第四节 MOS 模拟开关及开关电容电路 第一节 概述 与双极型模拟集成电路相比,MOS模拟集成 电路: 第二节 MOS模拟集成电路 一、MOS 电流源 一、 MOS 电流源 二、 MOS管有源负载 二、 MOS管有源负载 三、 MOS单级放大器 （一）、E/E型NMOS放大器 （二）、E/D型NMOS放大器 （三）、CMOS放大器 （四）、CMOS互补放大器 第三节、MOS集成运算放大器 （一）、5G14573CMOS四运放电路 (1/4)5G14573运放电路分析 第四节 MOS模拟开关及开关电容电路 一、单管 MOS传输门模拟开关 保证MOS模拟开关正常工作的条件 二、开关电容电路（简称SC电路） （一）、SC等效电阻电路 （一）、SC等效电阻电路 （一）、SC等效电阻电路 二、 SC积分器（简称SCI） （三）、SC低通滤波器 本章小结 * { 优点:集成度高(1/5),输入阻抗高,功耗低,制造简单, 动态范围大,成本低. 缺点:增益低,(1/40),工艺匹配性能差,低频噪声大 按MOS工艺分为: 1.PMOS型:电路全部由P沟道FET组成。 2.NMOS型:电路全部由N沟道FET组成。