第1章电力电子课件.pptVIP

未导通时，若管子阻断电阻均相等，则管子各自承担一半电源电压。 　　整流输出直流电压U d由下式积分 　　当a=00 时U d=0.9U2；a=1800时U d=0，所以晶闸管触发脉冲的移相范围为0~1800。整流输出直流电流（负载电流）Ｉd为 负载电流有效值Ｉ与交流输入（变压器二次侧）电流Ｉ2相同为 当a=00时c o s φ =1 ，i2波形没有畸变为完整的正弦交流。 　　晶闸管承受的最大正向（a=900时）与反向峰值电压为电源电压峰值， （三）单相桥式全控整流电路大电感负载 　　由于Ld的作用，当交流电压u2正半周过零开始变负时，Ld感应电动势eL阻止电流下降极性为上（—）下（+），只要eL在数值上大于电源负电压，已导通的VT1、VT4管仍受正压而继续导通，此时负载两端出现负电压。直到电源负半周ωt2时刻触发VT2、VT3管导通，VT1、VT4才会受反压关断，负载电流改由VT2、VT3导通回路供应。 　　因此每个晶闸管始终导通1800（π），晶闸管电流iT为1800底宽、高度为Ｉd的矩形波，在晶闸管触发时刻换流。变压器二次电流i2为正负对称的矩形波无直流分量，输出直流电压为 　　移相范围为0~900，负载电流Id=Ud=Rd=I，晶闸管电流平均值ＩdT=1/2Id，有效值IT为 （四）单相桥式全控整流电路反电动势负载 　　蓄电池充电、直流电动机等负载本身具有一定的直流电动势，对相控整流电路来说是一种反电动势性质的负载。 　　反电动势负载有如下特点： 　　1）只有整流电压ud的瞬时值大于负载电动势E时，整流桥路中的晶闸管才能承受正压而触发导通，整流桥路才有电流id输出，当晶闸管导通时， ud=u2=E+idＲ0；当晶闸管关断时ud=E。因此，在反电动势负载时，电流不连续，负载端直流电压Ｕd升高。 　　2）即使整流桥路直流电压平均值Ｕd小于反电动势Ｅ，只要ud的峰值大于Ｅ，在直流回路电阻R。很小时，仍可以有相当大的电流输出，输出电流瞬时值id为 　　平均电流Ｉd为 　　3）若以δ表示电源电压自零上升到Ｅ的电角度,则 　　串联Ld不够大或负载电流Ｉd很小时的波形。由于id波形断续，断续期间使ud波形出现台阶，但电流脉动情况比不串联电抗时有很大改善。小容量直流电动机，因对电源影响较小，且电动机电枢本身的电感量较大，也可不串联电抗器。 三、单相桥式半控整漉电路 　　单相桥式半控整流电路，电阻负载时其ud、iT、i2波形与桥式全控时完全一样，大电感负载时电压、电流波形。 第四节 晶闸管简单触发电路 一、对晶闸管触发电路的要求 （一）触发信号应有足够的功率（电压与电流） 　　由于触发信号是脉冲形式，只要触发功率不超过规定值，触发电压、电流的幅值短时间内可大大超过铭牌规定值。 （二）对触发信号的波形要求 　　对于电阻负载脉宽大于20～50μs，电感负载脉宽大于lms，对于三相桥式全控电路脉宽要大于600或采用双窄脉冲。 　　为了快速而可靠地触发大功率晶闸管，常在脉冲的前沿叠加一个强触发脉冲，波形，前沿电流上升率不小于0.5A/μs，强脉冲宽度t2应大于50μs，脉冲持续时间t3应大于550μs。 （三）触发脉冲的同步及移相范围 　　为使晶闸管在每个周期都在相同的控制角α触发导通，触发脉冲必须与晶闸管的阳极电压也就是电源同步，并与电源波形保持固定的相位关系。为使电路在给定范围内工作，应保证脉冲能在相应范围内进行移相。 （四）防止干扰与误触发 　　晶闸管的误导通往往是由于干扰信号进入门极电路而引起，因此需要对触发电路进行屏蔽、隔离等抗干扰措施。 二、单结晶体管触发电路 1．结构 　　单结晶体管示意性结构，在一块高电阻率的N型硅半导体基片上，引出两个电极，第一基极b1与第二基极b2，这两个基极之间的电阻Rbb即是基片的电阻约2~12kΩ。在两基极之间，靠近b2极处设法掺入P型杂质引出电极称为发射极e。所以它是一种特殊的半导体器件，有三个引出端，只有一个PN结故称单结晶体管，其等效电路、符号与管脚，Rb1、Rb2分别为e极与b1、b2之间基片电阻。 * 第一章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 第一节 功率二极管 第二节 晶闸管 第四节 晶闸管简单触发电路 第三节 单相相控整流电路 第一节 功率二极管 　　现将一种半导体基片（N型或P型）通过扩散或合金工艺，在其上形成相反导电类形，这两部分即形成PN结。 　　PN结形成原理，P区的空穴扩散到N区，N区中的电子扩散到P区，在交界面出现空间电荷区，形成由N区指向P区的内电场。内电场阻止多子继续扩散同时又帮助少子向各自对方漂移，在一定温度下，扩散与漂移达到动态平衡，空间电荷达到稳定值。 　　功率二极管的伏安特性，当外加正向电压大于ＵＴＯ（门槛电压）即克服PN结内电场后管子才开始导