晶圆背面研磨与湿式刻蚀应力消除工艺.PDF

技术 晶 圆 处 理 T ECHN OLOGY 晶圆背面研磨与湿式刻蚀应力消除工艺 1.前言 在许多IC 工艺后期都会进行晶圆背面研磨（Backside Grinding, BG ），使晶圆薄形化，以利后续晶圆切割及 封装等。例如：在智能卡应用上，必须将晶圆厚度由 700~600 m 研磨到 200~40 m。在晶圆背面研磨之后， μ μ 有许多产品需要进行后续工艺，包括：离子布植（Ion Implementation ）、热处理（Heat Treatment ）和晶圆背面金 属（ Backside Metal ；BM ）沉积等。由于晶背面研磨后 会产生应力和翘曲，如果晶圆应力过大，将会延伸到正面 的组件区域。当晶圆薄形化和变脆时，晶背研磨所产生之 应力及变形将危及后续工艺之良率。例如：胶膜去除（De- tapping ）、晶圆持取（Wafer Handling ）和封装（Packaging Assembly ）等工艺，所以必须消除晶圆之应力及损伤层。 当半导体