模拟电子技术基础课件01-3讲义晶体管.pptVIP

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  • 2019-06-15 发布于湖北
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模拟电子技术基础课件01-3讲义晶体管.ppt

三、晶体管的共射特性曲线 四、晶体管的主要参数 五、温度对晶体管的影响 六、光电三极管 作业1-2 P67: 1.15 P68: 1.18 * * 特性曲线:晶体管的各电极电压与电流之间的关系曲线。 ? (1)输入特性曲线: 由于发射结是正向偏置的PN结,所以它的曲线与PN结的曲线相似。 uCE增加时集电结反偏,发射区进入基区的电子更多地流向集电区,因此对应于相同uBE,流向基极的电流比原来时减小。所以曲线往右移动。 (2)输出特性曲线: 发射结电压小于开启电压,且集电结反向偏置,此时 发射结电压大于开启电压,即发射结正向偏置,且集电结反向偏置,此时 发射结正向偏置,且集电结也正向偏置,此时 当υCE增加时,集电结上加的反向偏置电压也随之增加,当υCE增加到一定电压(V(BR)CEO)时,集电结被击穿, iC突然猛增。 两个结都正偏,即 VbVe、VbVc(NPN) VbVe、VbVc(PNP) 发射结正偏,集电结反偏,即 VcVbVe(NPN) VcVbVe(PNP) 发射结反偏,即 VbVe(NPN) VbVe(PNP) 测得某放大电路中BJT的三个电极A、B、C的对地电压分别为VA=6.7V,VB=6V,VC=9V。问:硅还是锗?管子是NPN还是PNP?A、B、C分别对应哪个极? 管子工作在放大区 A对应基极、B对应发

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