硅片表面杂质浓度扩散方程的差分方法-西华师范大学学报自然科学版.PDFVIP

第３８卷 第 １期 西 华 师 范 大 学 学 报 （自然 科 学 版 ） ２０１７年３月 　 Ｖｏｌ３８ Ｎｏ１ ＪｏｕｒｎａｌｏｆＣｈｉｎａＷｅｓｔＮｏｒｍａｌＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ（ＮａｔｕｒａｌＳｃｉｅｎｃｅｓ） Ｍａｒ．２０１７ ＤＯＩ：１０．１６２４６／ｊ．ｉｓｓｎ．１６７３５０７２．２０１７．０１．０１６ 硅片表面杂质浓度扩散方程的差分方法 １ ２ １ 杜绍洪 ，谭迎春 ，杨际祥 （１．重庆交通大学 数学与统计学院，重庆　４０００７４；２．重庆市第十一中学校，重庆　４０００６１） 摘　要： 对硅片表面杂质浓度扩散方程，通过对初、边值条件的仔细观察，根据其具有的特点，提出了一种差分求 解格式，数值试验表明该格式条件稳定、有效。 关键词： 扩散方程；差分格式；数值解；有效性；条件稳定 中图分类号：Ｏ２４１．８２　　　文献标志码：Ａ　　　　文章编号：１６７３５０７２（２０１７）０１００９２０５ ０　引　言 考虑如下一维扩散方程 Ｎ ＝ＤＮ ，０＜ｘ＜＋ ，ｔ＞０， ∞ ｔ ｘｘ Ｎ（０，ｔ）＝Ｎ，ｔ ０， （１）  { ０ Ｎ（ｘ，０）＝０，ｘ＞０， 其中，Ｎ（ｘ，ｔ）表示在 ｔ时刻位移ｘ处的杂质浓度，Ｄ是扩散系数，表示扩散速度的物理常数，受杂质浓度、晶 体结构等因素的影响，Ｎ 为常数，表示硅片表面的杂质浓度。这个方程出现在半导体材料的制作过程中，描 ０ 述硅片中各点的杂质浓度随时间变化的规律。根据这个规律，方可对时间、温度及气氛的调节实现对扩散深 度、扩散浓度及其分布的控制，以满足不同硅器件的要求。 ［１］ 众所周知，定解问题（１）可通过齐次化边值条件后运用泊松公式获得其解析解 。这个解析解只是一 个形式解，具有一定的理论价值。但在工程实践中，为了模拟扩散过程随时间的变化，求其数值解十分重要。 有限差分方法、有限元方法、谱方法是数值求解偏微分方程常用的有效数值方法。尽管这些方法是基于不同 的离散技术，但它们首先都要对求解区域做网格剖分。因此，求解区域通常都是有限区域。有限区域上求解 ［２４］ 一维扩散方程的差分方法已有很多研究 ，关于对流扩散方程的有限元、有限差分以及谱方法的研究，参 看文献［５９］。 然而，扩散方程（１）的空间变量ｘ是无限的，即０＜ｘ＜＋ ，无法直接对求解区域进行剖分。众所周知， ∞ 在科学和工程计算中遇到无界区域，通常需要引进人工边界将无限区域截断为有限的计算区域，同时在人工 边界上设置合适的条件，从而将无界区域的问题转化到有界计算区域上进行数值计算。关于人工边界技术 的研究，参看文献［１０１１］。 我们针对硅片表面杂质浓度扩散方程（１）（抛物方程），给出了一种差分求解方法。首先，我们并不对求 解区域（０＜ｘ＜＋ ，０＜ｔ Ｔ）进行剖分，而是给定空间步长 ｈ。其次，注意到向前差分格式的特点，即向前 ∞  差分为显格式，在计算当前时间层上某一节点ｘ处的数值解仅需要它前一层的数值解以及与它相邻的两个 ｊ 节点前一层的数值解。这样