碳化硅-中国半导体分立器件分会.pptVIP

* 因为电力电子器件工作时自发热较多，额定工作结温一般在125℃。 所以室温测试对于电力电子器件来说意义不大，所有测试都是在结温125℃下进行。 和硅二极管对比。硅二极管是国际整流器公司的600V-30A超快二极管：IRGP30B60KD。碳化硅二极管是我们的600V-30A SiC JBS。 应用：续流二极管对IGBT模块的影响 * 续流二极管对IGBT模块的影响 IGBT的开通特性：左图硅二极管，右图碳化硅二极管。 减少了IGBT电流尖峰，减少了EMC。 测试条件： VCC=400V;IC=35A;Rg=27?;Tj=125℃.CH1:IC=15A/div;CH2:VCC=100V/div;timebase=200ns/div ——IGBT开通 * 续流二极管对IGBT模块的影响 ——IGBT开通 参数 单位 Si-diode SiC SBD 条件 VCC=400V;IC=35A;VGE=15V;Rg=27?,感性负载Tj=125℃ td(on) ns 70 70 tr ns 50 50 E(on) mJ 1.0 0.7 Ipeak A 84 60 IGBT 开通特性比较 * 续流二极管对IGBT模块的影响 ——IGBT开通 在不同电流下，和两种二极管配对的IGBT开通能耗比较。 * 续流二极管对IGBT模块的影响 IGBT的关断特性：左图硅二极管，右图碳化硅二极管。