小尺寸单轴应变SiPMOS沟道晶面晶向选择实验新发现.PDFVIP

小尺寸单轴应变SiPMOS沟道晶面/晶向选择实验新发现 陈航宇 宋建军 张洁 胡辉勇 张鹤鸣 New experimental discovery of channel crystal plane and orientation selection for small-sized uniaxial strainedSiPMOS ChenHang-Yu SongJian-Jun ZhangJie HuHui-Yong Zhang He-Ming 引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,068501(2018) DOI: 10.7498/aps.67 在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.67 当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2018/V67/I6 您可能感兴趣的其他文章 Articlesyoumaybeinterestedin 高性能SOI基GePIN波导光电探测器的制备及特性研究 FabricationandcharacteristicsofhighperformanceSOI-based Ge PIN waveguide photodetector 物理学报.2017,66(19): 198502 /10.7498/aps.66.198502 纳米静态随机存储器低能质子单粒子翻转敏感性研究 Singleeventupsetssensitivityoflowenergyprotoninnanometer static randomaccess memory 物理学报.2016,65(6): 068501 /10.7498/aps.65.068501 对称三材料双栅应变硅金属氧化物半导体场效应晶体管二维解析模型 Two-dimensionalanalyticalmodelsforthesymmetricaltriple-material double-gate strained Si MOSFETs 物理学报.2014,63(14): 148502 /10.7498/aps.63.148502 90nm互补金属氧化物半导体静态随机存储器局部单粒子闩锁传播效应诱发多位翻转的机理 Mechanism of multiple bit upsets induced by localized latch-up effect in 90 nm complementary metal semiconductorstaticrandom-accessmemory 物理学报.2014,63(12): 128501 /10.7498/aps.63.128501 累积剂量影响静态随机存储器单粒子效应敏感性研究 Synergistic effects of total ionizing dose on the single event effect sensitivity of static random access memory 物理学报.2014,63(1): 018501 /10.7498/aps.63.018501 物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 67, No. 6 (2018) 068501 小尺寸单轴应变Si PMOS沟道晶面/晶向选择 实验新发现 陈航宇 宋建军 张洁 胡辉勇 张鹤鸣 (西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件重点实验室, 西安 710071) ( 2017 年9 月27 日收到; 2017 年12 月19 日收到修改稿) 小尺寸单轴应变Si p 型金属氧化物半导体(PMOS) 沟道反型层迁移率与晶面/晶向密切相关, 应变 PMOS 优化设计时应合理选择沟道的晶面/晶向. 目前, 文献已有1.5 GPa 应力强度下单轴应变Si PMOS 沟 道反型层迁移率按晶面/晶向排序的理论模型. 然而, 在器件实际制造过程中, 覆盖SiN 应力膜工艺是固定的, 由于沟道弹性劲度系数具有各向异性, 这样, 不同晶面/晶向应变PMOS 沟道所受应力强度不同, 进而导致在 实际工艺下沟道反型层迁移率晶面/晶向排序