数码相机闪光灯充电电路分析.pdf

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数码相机闪光灯充电电路分析 一、 前言 目前市场上的数码相机和手机相机对于质量要求越来越高,环境亮度不足时需要闪光灯 辅助以改善照相质量。闪光灯是一种在极短的时间内产生极高光波能量的装置,目前大多使 用氙灯。其触发方式是利用一个高压电容器储存足够的能量,然后将其能量释放至灯管,此 能量会在灯管内激发氙气而发光。 二、 充电电路简介 触发闪光灯所需的能量由一个高压电容(一般约 200V~300V )储能提供。在手持式产 品中(如:数码相机、手机) ,如何将电池能量有效且快速地储存到高压电容,取决于充电电 路的设计。早期的充电电路由许多分立电路组合而成,如图一,这种电路效率较差、所需元 器件数较多,而且占用很大的电路板尺寸,不适合便携产品的开发。随着半导体技术的蓬勃 发展,许多厂商推出了将充电电路组件及控制器整合成到一颗芯片的方案,如图二所示。集 成控制方案有固定频率、固定导通时间和峰值限流控制方案。在此类应用中,固定频率控制 效率较低,固定导通时间控制则受限于变压器一次侧的电感值,而电流峰值限制则具有高效、 安全等特点。本文针对峰值电流限制模式进行深入探讨。 图一、传统闪光灯充电电路 图二、集成闪光灯充电电路 1/6 三、 充电电路分析—以MAX8622 为例 MAX8622 支持2 节碱性电池或1 节锂电池的应用,并在IC 内部集成了MOSFET ,利 用峰值电流限制控制方式,电路如图三所示。此充电架构相当于反激式转换器,MAX8622 采用逐周期限流方式,可有效抑制输入浪涌电流,并快速、高效地为输出电容充电。 图三电路中,利用变压器一次侧的电感储能,再将能量传送到二次侧的输出电容。 MOSFET 导通时,输入电压会对电感充电,电感电流上升;一旦电感电流上升至峰值点 (由 ISET 设定),将断开 MOSFET 。此时一次侧电感上的能量传递到输出电容,当二次侧电流 降至几乎为零时再次导通 MOSFET ,如此循环,直至输出电容电压达到设定值。图四与图 五为不同周期的一次侧与二次侧电流波形。这类应用中,充电时间是一个非常重要的参数, 以下介绍了该参数的理论推导与分析。 图三、MAX8622 充电电路 图四、一次侧与二次侧电流波形(充电的前几个周期) 2/6 图五、一次侧与二次侧电流波形(充电中的几个周期) (一)输出电压与充电时间 定义变压器匝数比为N ,变压器一次侧电感为L ,二次侧电感为L N 2 L P s p 当MOSFET 导通时, dI L ×∆I LP ×I P PK P P P , L × V ⇒∆t ⇒t ……(1) P IN on dt V V IN IN t 定义为每个周期MOSFET 的导通时间 on 由公式(1)可得知在I ,V ,L 为定值,则每个周期的t 也为一定值。 P ,PK IN P on 当MOSFET 截止时,此电路就为LC 串联电路,故可得: 1

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