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第四章 场效应管放大电路 Field Effect Transistor (FET) 4.1 结型场效应三极管(JFET) (1)结型场效应三极管的结构 JFET的结构如图所示，它是在N型半导体硅片 的两侧各制造一个PN结，形成两个PN结夹着一个N 型沟道的结构。一个P区即为栅极，N型硅的一端是 漏极，另一端是源极。 (动画2-8） (2) 结型场效应三极管的工作原理 ① 栅源电压对沟道的控制作用 当VGS=0时，若漏、源之间加有一定电压，在漏、源间将形成多子的漂移运动，产生漏极电流。 当VGS＜0时，PN结反偏，形成耗尽层，漏、源间的 沟道将变窄，ID将减小，VGS继续减小，沟道继续变 窄，ID继续减小直至为0。当漏极电流为零时所对应 的栅源电压VGS称为夹断电压VP。这一过程动画 所示。 ② 漏源电压对沟道的控制作用 当VDS增加到使VGD=VGS-VDS= VP时，在紧靠漏 极处出现预夹断。当VDS继续增加，漏极处的夹断继续向源极方向延长。 (3)结型场效应三极管的特性曲线 JFET的特性曲线有两条，一是转移特性曲线， 二是输出特性曲线。 一个是漏