微芯片铝键合点上氟沾污物成分的研究探究资料精.pdfVIP

、 ) 第 19卷 第3期 固 电子学研究与进展 Vo1．19．No．3 1999年 8月 RESEARCH8LPROGRESSOFSSE Aug．．1999 微芯片铝键合点上氟沾污物成分 的研究 趋旦登李越生粱京宗祥福 任种 俊一 丁卜o6 (复旦大学材料科学系 ，上海 ，200433) (上海先进半导评丽西有 限公司，上海 ，200233) 藕 改藕 提要 散芯片铝键舍系统的失效是器件可靠性研究的重要课题 ，铝键台点上的氟沾枵加速 了 对铝台金化表面的腐蚀 ，导致散芯片的失效。国外的工作多数讨论氟沾污引起失效的机理 ；很少给 出沾污物的系列化学成份。T0F—SIMs提供了一个探测和分析散芯片键合点上沾污成份的有力武 器．作者比较 了两个 TOF-SIMS的负离子谱 ，一个是经 目检发现键合点上有沾污斑点的芯片，另一 个是键舍点无沾污的芯片。根据对 T0F—SIMs特征谱线和离子像的研究，认为沾污点的化学成份 主要是铝氟化合物和铝氧氟化舍物。进一步的工作发现脒散芯片的制造工艺过程外，成品圆片的 存放处理也是形成键舍点上氟沾污的原因。 关键词：钽壁鱼皇 氟沾污 离子计数 原子质量单位 舔 }j 中围分类 号 ：TN305．蚰 TN306 、性 Investigation on FluorineContam ination Components onAIBondpadofSem iconductorM icrochip ZhengGuoxiang LiYuesheng IiangJin ZhongXiangfu (Dept．M aterialsScience，FudanUniversity，Shanghai．200233，CHAr) RenChong LuoJunyi (AdvancedSemiconductorManufacturingcb ．，Shanghai，200233，CHN) Abstract：Thefailurestudyofaluminum bondpadon semiconductormicrochip isanimportantprojectfordevicereliability．Thefluorinecomtaminationaccelerated corrosion onaluminum surfaceandinducedbondpadfailureofmicrochip．Previous investigati0nshavefocusedon thefailuremechanism inducedby fluorineandhave not involved the determination ofchemicalcomponentsofcontaminator． TOF— SIM S provided a powerfultoolto determine and analyze the components of contamination onbondpadofmicrochip．AuthorshavestudiedTOF—SIM Snegative spectra from tWO kinds ofbondpads，with or withoutcontamination spots on bondpadobserved by visualinspection．Having studied in detailsofTOF SIM S spectraand ion imagesofcon