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3.155J/6.152J 微电子工程 秋季，2003 Bob OHandley Martin Schmidt 问题5答案____________________ Out Oct. 29, 2003 ________ Due Nov. 5, 2002 1. (Plummer 10.3) 某过程中, 要求金属线的偏差等于或小于1.0mm (偏差等于金属 线宽的加上两金属线间的距离， 形貌的顶端测量).假设金属线宽和间距相等 ( 即, 各0 . 5 m ). 结构的高度也为 0 . 5 m, 最小的光刻线宽为 0.25m. a. 要得到此结构最小的各向异性腐蚀速率为多少？ b. 用湿法刻蚀此结构所得到的最小偏差是多少? (最小的光刻线宽为 0.25m, 厚度为 0 . 5 m 金属等宽等间距。) 答案 (a). 考虑到各向异性腐蚀, 为得到0 . 5 m 等 宽等间距的线条, 假设掩模版的宽度 1-x , 则各向异性腐蚀为: (b). 金属一般为多晶结构， 湿法腐蚀 中为各向同性腐蚀. 因此, 我们各向异性 腐蚀率为 A f = 0. 与 (a) 同, 我们用下面 的等式表示p 和x 的关系: 2. (Plummer 10.4) 和溅射相比反应离子刻蚀的优缺点是什么 (RIE)? 阐述你选用溅 射而不是RIE 的例子? 回答: 1 1 反应离子刻蚀包括物理刻蚀和化学腐蚀. 衬底放在一小电极上，加低电压用RF能源, 一般 10 100 mtorr 的环境下. 衬底表面,金属的去除采用离子轰击和化学反应。 RIE物理腐蚀原理和溅射腐蚀类似, 而化学腐蚀也带来了独特的效应. RIE 的最大特点 是腐蚀的强选择性。这由惰性气体的替位和其它化学反应完成。用化学方法, RIE 能 获得高的腐蚀率和低的破坏性。最后, 快速优化中更多的参数 RIE 中可独立设置. 既然化学腐蚀是各项同性的, 两者结合可形成不是垂直的侧壁。缺少方向性与溅射刻 蚀类似. 因为要设置更多的参数所以控制就变得困难了. 假设一个用溅射刻蚀而不是RIE 的例子，并且该材料用化学的方法很难腐蚀, 溅射 是唯一的腐蚀方法. 溅射也用于在此清洁蒸发前的硅片。 3. (Plummer 10.5) 解释怎样载入终点测试效应 答案: 载入效应能引起腐蚀的不均允性, 即在晶片上有不同的腐蚀率,每片晶片和每炉晶片 的腐蚀率都不同. 加载效应分为宏观和微观效应. 如果 腔内载入更多的晶片或更多 的表面暴露在腐蚀剂中，那么每片晶片和每炉晶片的腐蚀率不同; 晶片内腐蚀率的不 同是局部的纵横比不同引起的. 全部腐蚀率的不同影响终点检测.例如, 终点设置 腔 体的某个靶种聚合处就会超过极限值。如果腐蚀率因为载入效应减少则刻蚀系统需要 很长时间到达终点。 4. (Plummer 10.6)当刻蚀某种特别薄膜时，发现某种等离子化学刻蚀在某一RIE刻蚀系 0 统中产生垂直侧壁0 刻蚀斜度。 加化学式剂A 进行化学腐蚀得到非垂直的侧壁，并 有斜度。加化学式剂B 得到最初的刻蚀结果，非陡直侧壁，无刻蚀斜度。解释将发生 什么结果？ 答案: 化学试剂A 和薄膜有高的自发反应速率，刻蚀薄膜是各项同性 化学试剂B 可去除光刻胶. 另一种可能是化学试剂B本身或反应的副产物可能会 侧 壁