利用高分辩率X射线测量在GaAs衬底上生长的-中国有色金属标准.doc

GB/T ××××—×××× GB/T □□□□—200□ PAGE 2 PAGE 10 发布中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会200□-□□实施200□- 发布 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 200□-□□实施 200□-□□发布 高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法 Test Method for Measuring the Al Fraction in AlGaAs on GaAs Substrates by High Resolution X-ray Diffraction （讨论稿） GB/T □□□□—200□ 中华人民共和国国家标准 ICS 29.045 H 21 前 言 该标准等同采用SMEI M63－0306 Test Method for Measuring the Al Fraction in AsGaAs on GaAs Substrates by High Resolution X-ray Diffraction标准。 本标准由全国半导体材料与设备标准委员会提出。 本标准由中国有色金属工业标准计量质量研究所负责归口。 本标准由信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所负责起草制定。 本标准主要起草人： 高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底上生长的AlGaAs中Al成分的试验方法 1.范围 本标准规定了用高分辨X射线衍射测量GaAs衬底上AlGaAs外延层中Al含量的试验方法。 本方法适用于在未掺杂GaAs衬底001方向上生长的AlGaAs外延层中Al含量的测定，使用本方法测量Al元素含量时，AlGaAs外延层厚度应大于300nm。 2.原理 本方法利用AlGaAs晶格参数与Al含量的相关性（Vegard’s Law），通过测量AlGaAs 外延层衍射峰与衬底GaAs衍射峰的角度差来计算Al含量。 3术语和定义 3.1 FWHM 峰高一半处的峰宽。 3.2 HRXRD 高分辩率X射线衍射。 3.3 2θ 探测器与入射光角度。 3.4 ω-2θ 探测器以两倍于样品的速度扫描。 3.5 布拉格角Bragg angle X光从一组结晶学平面衍射的角度，在布拉格定律中定义为: λ=2dsinθ 其中，λ是x光的波长,d是相邻结晶学平面之间的距离,θ是x光衍射时光线与反射面之间的角度。 3.6 χ 倾斜样品的轴，由样品表面和衍射平面相交而成。 3.7 ω 入射光和样品表面之间角度。 3.8 φ轴 垂直样品表面旋转样品的轴。 3.9 摇摆曲线 rocking curve 扫描通过一个衍射峰时，衍射强度与ω的关系曲线，这个衍射峰在HRXRD测量中也许只有几个弧秒的宽度。 3.10 散射面 scattering plane 包含入射光和衍射光的平面 3.11 维加德定律 Vegard’s Law 描述三元合金AxB1－x C晶格参数随着x成线性变化的定律，以AB或AC为基元,x的变化范围是0≤x≤1。 4测量仪器 4.1高分辩率X射线衍射仪 入射光束的发散角应该和在平面波下的GaAs衬底的本征FWHM是可比的。对于Cu靶辐射和001方向样品的（004）反射，应该是～12弧秒。一个双晶系统有较大的光束发散角，但是为了测量样品的本征FWHM，Cu靶辐射的发散角应该小于12弧秒。 5试样 5.1 样品是在GaAs上生长的AlxGa1-xAs外延层 ，即在未掺杂001GaAs衬底上生长的未松弛AlGaAs外延层。 6 仪器准备 6.1 探测器应与入射光成一直线，且在距样品轴旋转中心1mm范围内。 6.2 ω轴的步长应能够达到2弧秒或更小。 6.3 2θ轴不一定要可以转动，但需要使探测器在整个扫描范围内始终位于衍射布拉格角的二倍处来收集衍射光。 7 测量步骤 7.1 样品应该垂直散射面固定。 7.2 如果样品是偏晶向的，依据标称偏晶角度调整χ使得衍射晶面与散射面垂直。 入射光方向定位面或缺口7.3 如果样品是正001晶向,使得主定位面或缺口位于入射光方向顺时针90°位置，如图1所指示 入射光方向 定位面或缺口 图1晶片相对于入射光的方向，样品没有一定的取向 7.4 探测器应与入射光成一直线，且在距样品轴旋转中心1mm范围内。 7.5 调整探测器的位置到2θ＝66.046°, 调整样品位置到ω=33.023°。 7.6 固定样品。可通过测量衬底摇摆曲线的FWHM来评估，见8.10，在最优化之后，FWHM应该小于30弧秒。 7.7 对于FWHM很大的情况： 7.7.1 由于固定样品引入应力，应重新固定样品； 7.7.2 由