第05章微机的存储器.ppt

（四）闪速存储器（Flash Memory） E2PROM能够在线编程，可以自动写入，在使用方便性及写入速度两个方面都较EPROM进了一步。但是，其编程时间相对RAM而言还是较长，特别对大容量的芯片更显得突出。人们希望有一种写入速度类似于RAM，掉电后内容又不丢失的存储器。一种称为闪速存储器（Flash Memory，以下简称为Flash，闪存）的新型E2PROM由此被研制出来。 闪速存储器首先由Intel公司开发，它采用非挥发性存储技术，能够在线擦除和重写，掉电后信息可以保持10年。 Flash具有ROM非易失性的优点，又有很高的存取速度，既可读又可写，具有集成度高，价格低，耗电少等优点，因此得到广泛的使用。例如Pentium II以后的主板都采用了这种存储器存放BIOS程序。Flash的可擦可写特性，使BIOS程序可以及时升级。 （一）Intel 2716的引脚与内部结构 2716 EPROM芯片的容量为2K×8位 （二）2716的工作方式 2716的工作方式见表5.3所示： 位扩展电路连接方法是：将每个存储芯片的地址线和控制线（包括选片信号线、读／写信号线等）并联在一起，数据线分别引出连接至数据总线的不同位上。 位扩展连接方法归纳如下： （1）芯片的地址线全部并联且与地址总线相应连接；