第32 卷第3 期 原 子 核 物 理 评 论 Vol. 32, No. 3
2015 年9 月 Nuclear Physics Review Sep. , 2015
文章编号 1007-4627(2015) 03-0318-05
强中子本底辐射屏蔽体优化设计技术研究
郭洪生 ,郭骐语 ,杨高照 ,朱学彬 ,胡青元
( 1. 中国工程物理研究院核物理与化学研究所,四川绵阳 621999;
2. 中国工程物理研究院工学院,四川绵阳 621999 )
摘要 在国内首次采用高强度窄脉冲DPF 中子源,采用直照法测量零功率堆瞬发中子时间常数α。由于外中
子源本底太强,导致直照中子和散射中子产生的干扰信号比测量信号高三个量级。为有效地抑制外本底,针
对不同能量的干扰中子,采用不同材料进行屏蔽。通过数值模拟的方法优化辐射屏
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