Pentacene基有机场效应晶体管的稳定性分析.pdfVIP

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  • 2019-06-09 发布于安徽
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Pentacene基有机场效应晶体管的稳定性分析.pdf

摘要 有机场效应晶体管(OFETs)是有机电子学重要的研究课题之一。有机场效应晶体管 具有柔性可弯曲、低成本、可实现大面积加工等一系列无机场效应晶体管所不具备的优 点受到越来越多的关注。由于它在有机显示器的有源驱动电路、有机传感器、存储器、 射频身份卡、电子书、智能卡、电子条形码标签等领域具有良好的商业应用价值,因而 受到人们广泛的关注。 本文介绍了OFETs器件的历史发展过程及在发展的过程中所遇到的问题,评述了在 各个不同阶段的研究重点和难点。对有机场效应器件在将来的发展过程中所遇到的问题 进行了讨论,包括有机场效应器件的工作原理。 (1)以并五苯为有源层材料,金为电极材料,制备了顶接触场效晶体管。载流子 是从电极的底部(电极与半导体的接触面)注入的,载流子注入效率取决于金属电极的 厚度,研究了电极厚度对载流子注入的影响,这有助于理解载流子从源漏电极的注入机 制和对器件进行优化。 以并五苯为有源层材料,Au和砧为电极材料,制备了底接触场效晶体管。发现 改变电极的种类和厚度可以改变器件的性能,为了分析底接触结构器件的载流子注入机 制,用不同组合次序Au和砧电极对器件性能进行了研究,发现载流子不仅可以从电 极项部注入,同样也可以从电极侧面注入,这有利于更好

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