显微结构分析一半导体晶片表面缺陷之分析.pdf

材料進階實驗（二）顯微結構分析（一） 顯微結構分析 (一) 半導體晶片表面缺陷之分析 龔志榮副教授編撰 一、實驗之目 本實驗旨在使學員了解，如何使用化學浸蝕方式顯現半導體晶片表面材料缺陷和 利用光學干涉顯微鏡觀察晶片表面之浸蝕孔，進而評估晶片缺陷之密度。 二、實驗設備和材料 實驗設備主要為諾瑪斯基干涉式光學顯微鏡(Nomarski interference contrast optical microscope) ，用來觀察經化學浸蝕後之砷化鎵(GaAs)晶片表面狀態。 三、實驗原理 (一)半導體材料缺陷孔蝕之分析 晶格缺陷一般均會存在於材料內部，它們的存在通常都會影響材料的特性。由於半 導體材料大都應用在微電子元件及光電元件中，材料內部的缺陷往往會導致元件功能 之不良或壽命之衰減，對於缺陷的容忍度很低。因此探討半導體晶片表面的缺陷例如差 排等，乃評估晶片品質好壞的指標。在所有缺陷分析方法中，藉由濕式化學浸蝕(wet chemical etching)來顯現半導體材料內之差排孔蝕(etching pit)密度，是最常被用 來鑑定半導體晶片品質的方法之一。 在濕式化學浸蝕中，浸蝕液對缺陷區附近材料之浸蝕速率高於非缺陷區，因此常 會發生選擇性孔蝕 (selective etch) ，因此在干涉式光學顯微鏡下即可清楚的觀察到 缺陷，並得以計算其密度。表一所列為部份半導體晶片缺陷孔蝕所使用之浸蝕液組成圖 圖一為干涉式光學顯微組織照片，顯示砷化鎵晶片上之差排孔蝕。 1 材料進階實驗（二）顯微結構分析（一） 表一 Si GaAs 2 材料進階實驗（二）顯微結構分析（一） 圖一 (二)微分干涉對比光學顯微鏡 這種利用干涉對比方式將晶片表面之些微的高低分佈明顯的表現在光學顯微觀察 中，乃由諾瑪斯基氏 (G.Nomarski)在 1952 年所發明。圖二所示為諾瑪斯基微分 (differential)干涉對比顯微鏡主要的光學組件和光路徑之對應關係。其中，最重要 3 材料進階實驗（二）顯微結構分析（一） 組件有:偏光鏡 (polarizer)和分光稜鏡 (Normarski prism) ，它們的功能分別是將未極 化 (unpolarized)入射光極化成為45角之極化 (polarized)光和將此極化光進一步分離 成兩道光束。 ° 圖二 .Nomarski微分干涉對比顯微鏡之光學組件之對應關係 圖三說明分光稜鏡的結構，其實是由兩塊光軸互相垂直的稜鏡組合而成。極化光進 入第 一塊稜鏡後，分量 光束(two components of the polarized light beam)感受 到 不同折射率造成在前進速率(speed)上有差別，當 它們碰 到稜鏡接合點時 ，遂形成兩道 分離光束，光束間所張 之發散角 (angle of divergence)正好契合 物鏡之焦距 ，藉由調 整稜鏡可改變 此兩道光束在試 片表面反射後之相差 (phase difference) ，進而形成不 同顏 之相對比，以分析晶片表面之高低分佈。