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可控硅基础知识讲座 2009-02-25 单向可控硅等效结构 单向可控硅晶体管模型 K G 玻璃钝化 玻璃钝化 单向可控硅平面和纵向结构 栅极悬空时，BG1和BG2截止,没有电流流过负载电阻RL。 栅极输入一个正脉冲电压时,BG2道通，VCE(BG2)下降，VBE(BG1)升高。 正反馈过程使BG1和BG2进入饱和道通状态。 电路很快从截止状态进入道通状态。 由于正反馈的作用栅极没有触发将保持道通状态不变。 可控硅工作原理-导通 可控硅工作原理-截止 阳极和阴极加上反向电压 BG1和BG2截止。 加大负载电阻RL使电路电流减少BG1和BG2的基电流也将减少。 当减少到某一个值时由于电路的正反馈作用，电路翻转为截止状态。 这个电流为维持电流。  关闭电流（IL) 单向可控硅I-V曲线 正向导通电压（VTM) 正向导通电流(IT) 正向漏电流（Idrm) 击穿电压(Vdrm) 反向漏电流（Irm) 击穿电压(Vrm) 维持电流（IH) 闭锁电流（IL） 单向可控硅反向特性 条件：控制极开路，阳极加上反向电压时 分析：J2结正偏，但J1、J2结反偏。当J1，J3结的雪崩击穿后，电流迅速增加，如特性OR段所示，弯曲处的电压URRM叫反向转折电压，也叫反向重复峰值电压。 结果：可控硅会发生永久性反向击穿。 单向可控硅正向特性 条件：控制极开