场效应管及基本放大电路.pptVIP

u GS O i D U P I DSS i D O U T u GS u GS O I DSS i D U P u DS O u G S ＝0 V i D －2 V u G S ＝ U P ＝－4 V ＋2 V －i D －5 V u G S ＝ U T ＝－3 V O － u DS －4 V u G S ＝ －6 V － i D －2 V u G S ＝ U P ＝＋4 V O － u DS ＋2 V u G S ＝ 0 V G S D + － i D B + － G S D + － i D － + B G S D + － i D B － + 耗尽型 N MOS 增强型 P MOS 耗尽型 P MOS 图5.1.11（续） 5.1.3 场效应管的主要参数 （P137） 1．直流参数 (1) 夹断电压UGS(off) (3) 饱和漏极电流 (2) 开启电压UGS(th) (4) 直流输入电阻RGS ——栅源间的等效电阻。由于MOS管栅源间有SiO2绝缘层，输入电阻可达109～1015 Ω 。 对于结型场效应三极管，反偏时RGS约为106 ～109 Ω。 5.1.3 场效应管的主要参数 （续） 2．交流参数 (1) 跨导gm 也称为互导。其定义为 (2) 极间电容 栅源电容Cgs 栅漏电容Cgd 漏源电容Cds gm的计算