微波电子线路第二章上.pptVIP

第2章 固态有源微波元器件 2.1 半导体基础 半导体基础 （2) 金属与P型半导体形成金半接触 金属与P型半导体形成金半接触的情形正好与N型相反， 当 时，形成反阻挡层，而 时，形成阻挡层。 2. 金半接触的整流特性 以金属与N型半导体接触构成金半结、而且 的情 况为例说明金半接触的整流特性。 （1)金半结两端施加正向偏压V（即金属端接外电源的正极，而N型半 导体端接外电源的负极） 金半结加正向偏压 “正向导通” 金半结的理想“伏安特性 （ 特性）方程”为： 半导体基础 （2)金半结两端施加正向偏压V（即金属端接外电源的负极，而N型半 导体端接外电源的正极） 金半结加反向偏压 金半结的电压电流特性 PN结 金半结 不同之处：导通电压较低、正向压降较小、正反向电流较大、 反向耐压较低及较强的非线性程度。由于特性曲线较陡，因此在同 样偏压下具有较小的结电阻，而且当外加大信号交流电压时可导致 微分电导（ ）有较陡的变化。 半导体基础 3. 金半接触的电容效应 金半接触结可以看作是单边突变结，因此根据求PN结空间 电荷区宽度所使用的方法，求出金半（N型）接触结半导体一侧 的势垒区宽度与偏压的关系为: （1) 势垒电容 （2) 扩散电容 金半接触结（MN结）的正向电流是从N型半导体流向金属 的电子电流，是多子电流，它不存在少子积累的问题，因而也 就不存在扩散电容效应，这是金半结与PN结的显著区别。 PN结的“大”电容限制了PN结开关速度的提高，导致其导电 特性的改变来不及跟上外加高频交流电压的变化；而金半结的电 容远较PN结为小，可大大减小对正偏非线性电阻的旁路作用， “开关”特性好，这是以金半结为基础构成的半导体元件在射频和 微波领域获得广泛应用的主要原因所在。 4. 金半接触的击穿 金半结势垒区宽度较薄，反向击穿电压比PN结低，因此不 能承受大的功率。 半导体基础 本章主要介绍广泛应用于微波电子线路的各种固态有源微波元器件，主要包括属于微波二极管的PN结管、肖特基结管、变容管、阶越恢复管、雪崩管、体效应管、PIN管等，属于微波三极管的双极晶体管及异质结管、场效应管以及高电子迁移率晶体管等。它们是构成各种微波电子线路功能组件，如微波混频器、微波变频器、微波放大器、微波振荡器和微波控制电路的核心。 1. 半导体的概念及分类 2.1.1 半导体基础 半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的一种物质。 金属 半导体 绝缘体 半导体材料的特性参数 微波器件的分类 电子迁移率、空穴迁移率、带隙、雪崩电场 二极管、三端晶体管 半导体基础 2. 半导体共价键模型和能带模型 共价键模型能够直观地说明半导体所具有的很多性质，但不能作 深入的定量讨论，而能带模型可以使我们对于半导体的理解比较深入， 因此一般要综合运用两种模型来展开讨论。 金刚石结构 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ 原子 共价键 GaAs 一个Ga原子由位于正四面体的四个顶 角的As原子包围着，而一个As原子也 由位于正四面体的四个顶角的Ga原子 包围着，但形成四个共价键的八个电 子三个来自于III族原子，五个来自 于V族，形成键的两个电子在原子间 的分布并非完全对称，偏向于两个原 子中的一个，含有“离子键”的成分。 半导体的能带结构 导带 价带 禁带 半导体基础 从原子模型可以知道，核外每个电子的能量都不是任意的， 而是只能取一系列分立的确定值，不同的轨道对应不同的能量。 电子能量只能取一系列分立值的这种特征叫做电子能量“量 子化”，量子化的能量值称为“能级”，把能级用一段横线表示， 按能量由小到达，把能级从下往上排列起来，即可构成原子中 电子的能级图。 价带： 温度为绝对零度时，电子的能量较 低，都位于低能带上，而且恰好把 低能带填满； 导带： 能量较高的能带； 禁带： 这两个能带之间存在着空隙，在空 隙所占的能量范围内，是不存在 任何电子的能量状态的。 半导体基础 3. 半导体的本征激发 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ 半导体的本征激发 自由电子 “空位”（空穴） 完整的共价键 无电流 电中性 －q电子移动 出现＋q电荷 电场 电流 这一空位可以看作是一个带有电量的粒子，称为“空穴” 自由电子和空穴统称为“载流