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第4章 场效应管及其基本放大电路 4.1 引言 场效应管的优点 输入阻抗高 抗干扰能力强 功耗小 分类： 结型场效应管 JFET 绝缘栅型场效应管IGFET 又称为MOSFET N沟道场效应管 P沟道场效应管 4.2 场效应管 4.2.1 绝缘栅场效应管 种类： 增强型（沟道从无到有） N P 耗尽型（沟道从有到无） N P 各种场效应管符号和特性曲线比较 ① 开启电压UGS(th) (或UT)----开启电压是增强型MOS管的参数，栅源电压小于开启电压的绝对值, 场效应管不导通。 4. 场效应晶体管的型号 场效应三极管的型号, 现行有两种命名方法。其一是与 双极型晶体管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表 绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层 是N沟道；C是N型硅P沟道。例如,3DJ6D是结型N沟道场效应 晶体管，3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应晶体管。 几种常用的场效应管的主要参数见下表: 总结： 关于 和 的极性 （1）N沟道 P沟道 （2）用作增强型 和 极性相同 用作耗尽型（包括结型FET） 和 极性相反 （3）若 正确 错了 相当于电阻 2.工作在恒流区的条件 4.2.4 BJT和FET的比较 BJT：CCCS 内阻小 双极型 热稳定性差 功耗大 不易集成 响应速度快 FET：VCCS 内阻大 单极型 热稳定性好 功耗小 易于集成 响应速度慢 场效应管放大电路分压偏置 4.3.1 共源放大电路 讲解例题：例4.3.1 1. 静态分析 讲解例题：例4.3.2 4.3.3 共栅组态基本放大电路 了解 自学。 场效应晶体管放大电路的三种组态 场效应晶体管有三种不同的组态(或称为三种接法)： 共源极组态，与共发射极组态对应； 共漏极组态，与共集电极组态对应； 共栅极组态，与共基极组态对应。 (a) 共源组态 (b) 共漏组态 (c) 共栅组态 场效应放大电路的三种组态 4.3 FET基本放大电路 静态工作点偏置到具有线性特性的恒流区 场效应管是电压偏置 区分静态和动态，区分直流通路和交流通路 在进行动态分析之前，也需要先进行静态工作点的计算 场效应晶体管放大电路设置偏置的原则 具体的偏置电路形式：场效应晶体管放大电路的电压偏置有两种形式，分压偏置和自给栅偏压。 对于不同类型的场效应管： 对于MOS增强型N沟道管放大电路， UGS0， UGS0截止; 对于MOS增强型P沟道管放大电路， UGS0， UGS0 截止。 对于MOS耗尽型N沟道管放大电路， UGS0，也可UGS0; 对于MOS耗尽型P沟道管放大电路， UGS0，也可UGS0 。 对于结型场效应管放大电路，N沟道管放大电路为UGS0； P沟道管放大电路为UGS0。 分压偏置电路 (b) 采用耗尽型管 (a) 采用增强型管 由于没有栅流，栅极电位仅由Rg1和Rg2分压确定，所以分压偏置既可以得到正偏压，又可以得到负偏压。对于图 (a)也可以采用结型场效应管。 场效应管放大电路自给栅偏压 自给栅偏压 自给偏压场效应管放大电路如图所示。该电路因为栅流等于0，所以，栅极电位等于0。所以只能N沟道管建立负偏压；P沟道管建立正偏压。所以图示电路 UG=0V US=IDR UGSQ= -IDQR N沟道结型场效应管分压偏置电路 一、静态分析——1.分压偏置电路 结型场效应管和耗尽型场效应管 因IDQ是二次方程，需要从中确定一个合理的解。一般可根据静态工作点是否合理，栅源电压是否超出了夹断电压，漏源电压是否进入饱和区等情况来确定。 注意以上计算是针对由耗尽型场效应管构成的放大电路，若放大电路采用的是增强型场效应晶体管，则应采用下式计算漏极电流 式中：IDO是uGS=2UGS(th) 时所对应的iD。 N沟道增强型绝缘栅场效应管分压偏置电路 自给偏压共源组态场效应管放大电路如图所示。建立正确的偏压就是建立正确的静态工作点，图示电路中的场效应管应该采用N沟道JFET。因为栅流等于0，所以UG=0V、US=IDR， UGSQ= -IDQR 。