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通信用光器件;通信用光器件;第四章 光源;4.1 光源的物理基础;;2. 半导体的能带 在大量原子相互靠近形成半导体晶体时，由于半导体晶体内部电子的共有化运动，使孤立原子中离散能级变成能带。较低的能级构成价带，较高的能级构成导带。 ;图4.2 半导体的能带结构;4.1.2 光与物质的相互作用 1. 自发辐射 处于高能级的电子状态是不稳定的，它将自发地从高能级(在半导体晶体中更多是指导带的一个能级)运动(称为跃迁)到低能级(在半导体晶体中更多是指价带的一个能级)与空穴复合，同时释放出一个光子。由于不需要外部激励，所以该过程称为自发辐射。; 根据能量守恒定律，自发辐射光子的能量为： h f12=E2-E1 式中：h为普朗克常数，其值为6.626×10-34J·s；f12为光子的频率；E2为高能级能量；E1为低能级能量。;(a) 自发辐射;;; 受激辐射光的频率、相位、偏振态和传播方向与入射光相同，这种光称为相干光。 自发辐射光是由大量不同激发态的电子自发跃迁产生的，其频率和方向分布在一定范围内，相位和偏振态是混乱的，这种光称为非相干光。 物体成为发光体需要光辐射 光吸收;4.1.3 粒子数反转分布状态 1. 粒子数正常分布状态 ; 受激吸收和受激辐射的速率分别比例于N1和N2，且比例系数(吸收和辐射的概率)相等。 如果N1N2，即受激吸收大于受激辐射。当光通过这种物质时，光强按指数衰减， 这种物质称为吸收物质。 如果N2N1，即受激辐射大于受激吸收，当光通过这种物质时，会产生放大作用，这种物质称为激活物质。 N2N1的分布，和正常状态(N1N2)的分布相反，所以称为粒子(电子)数反转分布。;2. 粒子数反转分布状态 为了使物质发光，就必须使其内部的自发辐射和/或受激辐射几率大于受激吸收的几率。 有多种方法可以实现能级之间的粒子数反转分布状态，这些方法包括光激励方法、电激励方法等。; 本征半导体 N型半导体 P型半导体 图4.4 半导体的能带和电子分布; 图4.4示出不同半导体的能带和电子分布图。根据量子统计理论，在热平衡状态下，能量为E的能级被电子占据的概率为费米分布; 一般状态下，本征半导体的电子和空穴是成对出现的，用Ef 位于禁带中央来表示，见图4.4(a)。 在本征半导体中掺入施主杂质，称为N型半导体，见图4.4(b)。 在本征半导体中，掺入受主杂质，称为P型半导体，见图4.4(c)。 ; ;;电子或空隙的浓度为:;;导带 EC;;; ;（a）P - N结内载流子运动； 图 4.5 PN结的能带和电子分布;(b) 零偏压时P - N结的能带倾斜图；;耗 尽区;P-N结施加反向电压;(a) 反向偏压使耗尽区加宽;P-N结施加正向电压;(b) 正向偏压使耗尽区变窄;;总结 固体材料中，核外电子相互影响，能级分裂为能带 半导体是禁带宽度较小的非导体，导电载流子为导带电子和价带空穴 能带中的载流子按照费米统计分布，能级越低被电子占据的几率越大 费米能级是电子在能级中分布情况的参量 当PN结两端加上正向偏置电压时，产生与内部电场相反方向的外加电场，耗尽区变窄，势垒降低。获得粒子数反转分布。少数载流子与多数载流子复合，产生光辐射。;4.2 光通信光源基本要求;4.2.2 光通信光源基本要求 （1）合适的发光波长——1.55 μm ； （2）足够的输出功率——大于1mW； （3）可靠性高，寿命长——平均寿命106小时； （4）输出功率高——大于10％； （5）光谱宽度窄； （6）聚光性好； （7）调制性好； （8）价格低廉。;4.2.3 产生激光的条件 （1）受激发射； （2）工作物质具有亚稳态能级； （3）形成粒子数反转。;4.3 半导体光源的工作原理;双异质结LED(DH-LED);同质PN结的问题;双异质结构;2. 发光二极管的工作原理; 按照器件输出光的方式，可以将LED分为两大类：一类是面发光型LED，另一类是边发光型LED，其结构示意图如图4.6所示。;圆形腐蚀孔;导光层; 单质半导体材料都不是直接带隙材料，因此不适合做光源；很多化合物，尤其是III-V族化合物是直接带隙的，比如由Al、Ga、In和P、As、Sb构成的化合物。 不同材料有不同的能级差和发光波长。不同波长光通信系统