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4.5.2金属－氧化物－半导体场效应晶体管 绝缘栅场效应晶体管IGFET: 以氧化物作为绝缘层的IGFET，就是金属－氧化物－半导体场效应晶体管MOSFET 图5. MOS电容器的基本结构 控制栅的电压与MOSFET的工作 栅极G不加电压 热平衡时的能带图 M I S VG =0 VG =0 EFm 图6. 热平衡时的能带图 栅极上外加电压VG ?绝缘层隔离 绝缘体电场，没有电流流通 半导体表面空间电荷区 半导体处于热平衡状态 ? EFS不变，金属Efm移动eVG 表面能带产生弯曲 VG ﹤ 0 半导体表面EV 更接近EFS 表面空穴（多子 ）积累 图7 栅极上外加电压VG＜0能带图和电荷分布 栅极上外加电压VG ＜0 栅极电压VG ＞ 0 小电压 半导体表面EV远离EFS 表面空穴（多子 ）耗尽 图8 栅极上外加电压VG＞ 0能带图和电荷分布 栅极上外加电压VG ＞ 0 栅极电压VG ＞＞ 0 大电压 半导体表面EV更远离EFS 半导体表面EC更接近EFS 表面空穴（多子 ）耗尽 表面电子（少子 ）积累 形成反型层（n型表面） ＞ ＞ ＞ 图9 栅极上外加电压VG＞＞ 0能带图和电荷分布 栅极上外加电压VG ＞＞ 0 注意：由n型半导体构成的理想MOS结构的能带图和电荷分布与型半导体构成的可以作类似分析，所形成的图如下 图10 n型半导体构成的理想MOS结构的能带图和电荷分布 MOSFET基本工作原理 栅极G不加电压VGS =0 实际为两个背靠背的pn+结 图11 VGS =0的MOSFET 栅极小电压0 ＜ VGS ＜ VT p 型半导体表面耗尽，形成表面耗尽层 多子耗尽层 耗尽区 图12 0 ＜ VGS ＜ VT的MOSFET 栅极大电压 VGS ＞ VT （反型阀值电压） 表面反型，源区与漏区两个n+ 区连接了起来 在漏极正电压的作用下，电子从源区流向漏区 形成n 沟道，改变栅压可以调制沟道电导的大小 n 沟道增强型MOSFET的输出特性曲线 漏极D正偏VDS﹥0 VDS﹤VGS-VT﹥0: ID与VDS接近线性变化（线性区） VGS-VT ﹤VDS ﹤ VDSa : 沟道被夹断, ID基本不变化（饱和区） VDS ﹥VDSa : ID随VDS急剧增加（雪崩区） 实际半导体的表面氧化层SiO2层中带正电荷（等效栅极电压） 金属和半导体功函数差 栅压VGS=0时，半导体表面已经形成了反型沟道 漏极加正电压就有漏电电流流过沟道区 n 沟道耗尽型MOSFET 增强型 n 沟道MOSFET则在栅压为零时没有导电沟道，只有当VGS ﹥ VT 才能形成导电沟道 p 沟道MOSFET(增强型和耗尽型)与n 沟道的结构类似： n 型Si为衬底制作两个p+区 依靠负栅压使n 型反型以空穴导电、漏极接负电压 4.5.3 肖特基势垒栅场效应晶体管MESFET 肖特基势垒取代JFET的pn结势垒，形成肖特基势垒栅场效应管 不需要绝缘层和pn结 可以采用电子迁移率很高的材料（如：GaAs、InP） n 沟道MESFET 肖特基势垒栅场效应管兼有JFET和MOSFET的优点： ·器件制作类似MOSFET ·电学性质类似JFET ·避免表面态的影响 ·电子迁移率很高 ·特点：高频（微波）、低噪声、较高的功率 实际MESFET的栅长为微米数量级，出现强场效应，在沟道尚未夹断前，电子数度已经达到饱和漂移数度 GaAs-MESFET，结构简单、制造过程少，因此寄生电容小，噪声系数低，而且噪声频率变化趋势比双极型晶体管慢得多 较高的功率增益 场效应晶体管（FET）: 栅电压调制沟道电导，从而调制沟道电流 JFET：pn结，npn为p沟道、pnp为n沟道 MOSFET：MOS结， npn为n沟道、pnp为p沟道 MESFET：肖特基结 4.6 异质结及其器件 4.6.1 异质结的材料 两种不同半导体接触形成异质结 同型（高低）异质结（ pP异质结、nN异质结 ） 异型（反型）异质结（ pN异质结、Pn异质结 ） 单晶材料不同 禁带宽度、介电常数、晶格常数、热膨胀系数不同 晶格失配