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第39卷 第7期 发 光 学 报 Vol39 No7
2018年7月 CHINESEJOURNAL OF LUMINESCENCE Julyꎬ2018
文章编号:1000 ̄7032(2018)07 ̄0983 ̄08
烧结空洞对半导体激光器热分布的影响
张晓磊ꎬ薄报学ꎬ张哲铭ꎬ顾华欣ꎬ刘力宁ꎬ徐雨萌ꎬ乔忠良ꎬ高 欣∗
(长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室ꎬ吉林 长春 130022)
摘要:在半导体激光器芯片与热沉的焊接过程中不可避免地会在焊料层产生一些空洞ꎬ而空洞会在铟的电
迁移以及电热迁移作用下慢慢变大ꎬ使芯片局部温度迅速上升ꎬ进而影响半导体激光器的性能ꎮ 针对 10 W
的808 nm单管焊装半导体激光器建立三维有限元模型ꎬ分别模拟计算了空洞面积、空洞厚度和空洞位置与结
温的关系ꎮ 芯片出光面边缘的有源区区域形成的空洞对芯片的结温影响更为显著ꎬ最后得到空洞面积与器
件结温的关系ꎬ并表明对空洞率控制的重要性ꎮ
关 键 词:热特性ꎻ空洞ꎻ有限元ꎻ结温
中图分类号:TN248.4 文献标识码:A DOI:10.3788/ fgx0983
Thermal Impact of High Power Semiconductor
Laser with Voids in Solder Layer
ZHANG Xiao ̄leiꎬBO Bao ̄xueꎬZHANGZhe ̄mingꎬ
GU Hua ̄xinꎬLIU Li ̄ningꎬXU Yu ̄mengꎬQIAOZhong ̄liangꎬGAO Xin∗
(StateKey Laboratory of High Power SemiconductorLaserꎬChangchun University of Science and TechnologyꎬChangchun 130022ꎬChina)
∗Corresponding AuthorꎬE ̄mail:gaoxin@cust.edu.cn
Abstract:Semiconductor laser chip and heat sink in the welding process will inevitably produce
some holes in the solderlayer. Thesevoidswillbecomelarger intheelectromigration andelectromi ̄
gration of indium. The local temperature of the chip rises rapidlyꎬand affects the performance of
semiconductor lasers. Athree ̄dimensionalfiniteelement model of808nm single ̄tubewelding semi ̄
conductor laserswith power of 10 W was establishedꎬand the relationship between void areaꎬvoid
thickness and void position was calculated. The results show that the voids formed in the active re ̄
gion of the edge of the chip have a more significant influence on the junction temperature of the
chip. Finallyꎬthe relationship between cavity area andjunction tempera
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