第5章激光器件.pptVIP

5.5.2 PN结和粒子数反转 在热平衡系统中(图a—e )中的情况都只有一个费米能级不能产生光放大。把P型和N型半导体制作在一起，是否可能在结区产生两个费米能级呢？ 一、 P-N结的双简并能带结构 如果我们设法使一块完整的半导体一边是N型，而另一边是P型，则在接合处形成 P－N结。 未加电场时，由于电子和空穴的扩散作用，在P－N 结的交界面两侧形成空间电荷区，生产自建场，其电场方向自N区指向P区。引起漂移运动，当扩散运动和漂移运动达到热平衡时， P区和N区的费米能级必然达到同一水平。 这时，在P区和N区分别出现P型简并区 和N型简并区， P区的价带顶充满了空穴，N区的导带底充满了电子。在结区造成了能带的弯曲。 自建场的作用，形成了接触电位差VD叫做P－N 结的势垒高度。P区所有能级上的电 子都有了附加位能，它等于势垒高度VD 乘以电子电荷e（VDe） PN能带 当给P－N 结加以正向电压V时，如图所示，原来的自建场将被削弱，势垒降低，破坏了原来的平衡，引起多数载流子流入对方，使得两边的少数载流子比平衡时增加了，这些增加的少数载流子称为“非平衡载流子”。这种现象叫做“载流子注入”。此时结区的统一费米能级不复存在，行成结区的两个费米能级EF+和EF-，称为准费米能级。它们分别描述空穴和电子的分布。在结区的一个很薄的作用区，形成