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第7章 磁敏传感器 7.1 霍尔传感器 作业 P161 8－1 8－2 8－8 图2.6-38（a）是没有栅格的情况，电流只在电极附近偏转，电阻增加很小。在LW长方形磁阻材料上面制作许多平行等间距的金属条（即短路栅格），以短路霍耳电势，这种栅格磁阻器件如图2.6-38（b）所示，就相当于许多扁条状磁阻串联。所以栅格磁阻器件既增加了零磁场电阻值、又提高了磁 L W B B 图2.6-38 几何磁阻效应 I I （a （b 阻器件的灵敏度。 常用的磁阻元件有半导体磁阻元件和强磁磁阻元件。其内部有制作成半桥或全桥等多种形式。 1 灵敏度特性 磁阻元件的灵敏度特性是用在一定磁场强度下的电阻变化率来表示，即磁场——电阻特性的斜率。常用K表示，单位为mV/mA.kG即Ω.Kg。在运算时常用RB/R0求得，R0表示无磁场情况下，磁阻元件的电阻值，RB为在施加0.3T磁感应强度时磁阻元件表现出来的电阻值，这种情况下，一般磁阻元件的灵敏度大于2.7。 （二）? 磁阻元件的主要特性 2 磁场—电阻特性 磁阻元件磁场—电阻特性 N级 0.3 0.2 0.1 0 0.1 0.2 0.3 R/Ω 1000 500 S级 (a) S、N级之间电阻特性 B/T 15 RB R0 10 5 温度(25℃) 弱磁场下呈平方特性变化 强场下呈直线特性变化