霍尔式的传感器.pptVIP

第七章　霍尔式传感器 原理 霍尔式传感器是利用霍尔效应使位移带动霍尔元件在磁场中运动产生霍尔电势，即把位移信号转换成电势变化信号的传感器。 优缺点： 优点： 结构简单，体积小，坚固 频率响应宽，动态范围大 无触点，使用寿命长，可靠性高 易于微型化和集成电路化 缺点： 转换率较低，温度影响大，要求转换精度较高时，必须进行温度补偿。 一、霍尔元件 霍尔元件：直角平行六面体的单晶半导体薄片 材料：锗(Ge)、硅(Si)、砷化铟(InSb)等半导体材料。 霍尔元件组成：半导体薄片和两对电极组成 霍尔元件的符号和基本电路 二、霍尔效应 当输入端加电流I，并在元件平面法线方向加磁感强度为B的磁场，那么在垂直于电流和磁场方向上将产生一电势UH，这个电势就是霍尔电势，这种现象就是霍尔效应。 霍尔效应的原因: 任何带电质点在磁场中沿着和磁力线垂直方向运动时，会受到磁场力 霍尔电势方向判别： 霍尔电势： 三、霍尔系数及灵敏度 霍尔系数： 灵敏度和霍尔电势 灵敏度： 四、霍尔元件的误差及其补偿 由于制造工艺问题以及实际使用时所存在的各种影响霍尔元件性能的因素，如元件安装不合理、环境温度变化等，都会影响霍尔元件的转换精度，带来误差。 （一）、霍尔元件的零位误差及其补偿 霍尔元件的零位误差