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第五章 霍尔式传感器 5.1霍尔式传感器的工作原理 5.2霍尔式传感器的基本测量电路 5.3霍尔式传感器的误差与补偿 5.4霍尔式传感器的应用 （一）. 霍尔效应 （二）. 霍尔元件基本结构 二、 霍尔元件的主要特性 5.2霍尔式传感器的基本测量电路 2. 霍尔式微位移传感器 左手定则：伸开左手，使大拇指跟其余四个手指垂直，并且都跟手掌在一个平面内，把手放入磁场中，让磁力线垂直穿入手心，并使伸开的四指指向电流的方向，那么，大拇指所指的方向，就是通电导线所受的安培力的方向 右手定则：右手平展，使大拇指与其余四指垂直，并且都跟手掌在一个平面内。把右手放入磁场中，若磁力线垂直进入手心（当磁感线为直线时，相当于手心面向N极），大拇指指向导线运动方向，则四指所指方向为导线中感应电流的方向。 * * 霍尔传感器是基于霍尔效应的一种传感器。1879年美国物理学家霍尔首先在金属材料中发现了霍尔效应, 但由于金属材料的霍尔效应太弱而没有得到应用。随着半导体技术的发展, 开始用半导体材料制成霍尔元件, 由于它的霍尔效应显著而得到应用和发展。 霍尔传感器广泛用于电磁测量、压力、加速度、振动等方面的测量。  5.1 霍尔式传感器的工作原理 一、 霍尔效应及霍尔元件  霍尔传感器是利用霍尔效应制作的半导体磁敏传感器。半导体磁敏传感器是指电参数按一定规律随磁性量变化的传感器，常用的有霍尔传感器和磁敏电阻传感器。磁敏器件是利用磁场工作的，所以可以用非接触方法检验。 半导体磁敏器件的特点是：从直流到高频，其特性完全一样，也就是完全不存在与频率的关系。 1879年美国物理学家霍尔发现：在通有电流的金属板上加一个强磁场，当电路流方向与磁场方向垂直时，在与电流和磁场都垂直的金属板的两表面之间出现电动势，这种现象就称为霍尔效益，这个电动势差称为霍尔电动势。（置于磁场中的静止载流导体, 当它的电流方向与磁场方向不一致时, 载流导体上平行于电流和磁场方向上的两个面之间产生电动势, 这种现象称霍尔效应。该电势称霍尔电势。） 其原理可用带电粒子在磁场中所受到的洛伦兹力解释。 图 5 – 1（a） 所示, 在垂直于外磁场B的方向上放置一导电板, 导电板通以电流I, 方向如图所示。导电板中的电流是金属中自由电子在电场作用下的定向运动。此时, 每个电子受洛仑磁力fL的作用，fL大小 ： fL =eBv 式中: e——电子电荷;  v——电子运动平均速度;  B——磁场的磁感应强度。 fL的方向在图 5 - 1中是向上的, 此时电子除了沿电流反方向作定向运动外, 还在fL的作用下向上漂移, 结果使金属导电板上底面积累正电荷, 而下底面积累电子, 从而形成了附加内电场EH, 称霍尔电场, 该电场强度为 EH= 式中UH为电位差。霍尔电场的出现, 使定向运动的电子除了受洛仑磁力作用外, 还受到霍尔电场的作用力, 其大小为eFe，此力阻止电荷继续积累。 随着上、下底面积累电荷的增加, 霍尔电 场增加, 电子受到的电场力也增加, 当电子所 受洛仑磁力与霍尔电场作用力大小相等、 方向相反时, 即eEH=evB 则 EH=vB 此时电荷不再向两底面积累, 达到平衡状态。  若金属导电板单位体积内电子数为n, 电子定向运动平均速度为v, 则激励电流I=nevbd, 则  v= 将式上代入式（ EH=vB ）得  EH= 将上式代入式（ ）得  UH =  式中令RH =1/（ne）,