dg14二极管和晶体管 .pptVIP

1. 输入特性 特点:非线性 死区电压：硅管0.5V，锗管0.1V。 正常工作时发射结电压： NPN型硅管 UBE ? 0.6~0.7V PNP型锗管 UBE ? ?0.2 ~ ? 0.3V IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE?1V O 2. 输出特性 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O 放大区 输出特性曲线通常分三个工作区： (1) 放大区 在放大区有 IC=? IB ，也称为线性区，具有恒流特性。 条件：发射结正向偏置 集电结反向偏置 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O （2）截止区 IB 0 以下区域为截止区，有 IC ? 0 ， UCE ? UCC 。 条件：发射结反向偏置、集电结反向偏置 饱和区 截止区 （3）饱和区 UCE? UBE时，饱和状态。 UCE ? 0 , IC ? UCC / RC 。 条件：发射结正向偏置 集电结正向偏置 14.5.4 主要参数 1. 电流放大系数，? 直流电流放大系数 交流电流放大系数 当晶体管接成发射极电路时， 表示晶