绪论半导体材料研究新进展.pptVIP

半导体材料与工艺 甘国友教授 昆明理工大学材料与冶金工程学院 二OO七年七月 主要参考资料： [1] 《半导体材料》 杨树人著 科学出版社 2004年3月 [2] 《半导体物理》 刘恩科著 国防工业出版社 1994年4月 [3] 《半导体器件》 正田英介著 科学出版社 2001年月 0.1 序 以集成电路（IC）技术（微电子技术）为代表的半导体技术是近50多年来发展最迅速的技术。 半导体技术?生产生活、国防科技…… （Si、Ge、GaAs、InP、HgCdTe、GaN、SiC……） 半导体技术是衡量一个国家科学技术发展水平的一项重要标志。 半导体与金属、绝缘体之间的界限也不是绝对的。 重掺杂半导体的导电性能与金属类似（可具有正的电阻温度系数）； 在低于1K温度下，有些半导体（如GeTe、SnTe、SrTiO3等）可显示出超导性； 纯净的半导体材料在较低温度下（低于其本征激发温度）下就是绝缘体； 半导体材料并不仅限于固体，也有液态半导体。 本征半导体中的自由电子和空穴总是成对出现，同时又不断进行复合。在一定温度下，载流子的产生与复合会达到动态平衡，即载流子浓度与温度有关。温度愈高，载流子数目就愈多，导电性能就愈好——温度对半导体器件的性能影响很大。 半导体中的价电子还会受到光照而激发形成自由电子并留下空穴。光强愈大，光子就愈多，产生的载流