大规模的集成电路.ppt

* 第六章 大规模集成电路 江苏大学电气学院电子工程系 数字电子技术 引言 半导体存储器用来存储大量的二值信息，按照集成度划分，它属于大规模集成电路（LSI）。根据其结构和工作原理的不同，工程中一般将半导体存储器分为只读存储器（ROM）和随机存取存储器（RAM）两大类。 另一类功能特殊的LSI是可编程逻辑器件（PLD）特点是用户可以通过编程使之具有不同的逻辑功能，故PLD芯片具有使用灵活、集成度高、工作速度快和系统可靠性高等优点。 6.1 半导体存储器 6.1.1 半导体存储器的特点 半导体存储器具有集成度高、体积小、存储密度大、可靠性高、价格低、外围电路简单和易于批量生产的特点，它 用来存储程序和大量的数据，是计算机和数字系统中不可缺少的组成部分。 6.1.2 半导体存储器的分类 1. 按照制造工艺分为双极型和MOS存储器双极型存储器具有速度快、功耗大、价格高的特点，主要用于高速应用场合，如计算机中的高速缓存；而MOS存储器以MOS触发器或电荷存储器件作为基本存储单元，具有集成度高、功耗小、价格低的特点，主要用于大容量存储系统，如计算机内存。 2. 按照存取功能分为ROM和RAM ROM在正常工作时，只能从中读取数据，不能写入数据，属于数据非易失存储器，适用于存储固定数据或程序的场合。根据结构特点可将ROM分为掩模式ROM、可编程ROM（Programmable Read-Only Memory，简称PROM）、可擦除可编程ROM（Erasable Programmable Read-Only Memory，简称EPROM）。 RAM在正常工作时可以随时向存储单元读出或写入数据。根据存储单元结构和工作原理的不同，将RAM分成静态随机存储器（Static Random Access Memory，简称SRAM） 和动态随机存储器（ Dynamic Random Access Memory，简称DRAM）。 3. 按数据输入/输出方式分为串行存储器和并行存储器 并行存储器中数据输入或输出采用并行方式，串行存储器中数据输入或输出采用串行方式。 6.1.3 半导体存储器的主要技术指标 1. 存储容量存储器中所有存储单元的数目。例如一个内含1024个存储单元的存储器，其存储容量为1K（1K = 1024 ）。 2. 存取时间 一般用读（或写）的周期来表示，存储器连续两次读出（或写入）操作所需的最短时间间隔称为读（或写）周期。 6.2 随机存取存储器（RAM） SRAM和DRAM这两类RAM的整体结构基本相同，它们之间的不同点在于存储单元的结构和工作原理有所不同。SRAM以静态触发器作为存储单元，依靠触发器的自保持功能存储数据，而DRAM以MOS管栅极电容的电荷存储效应来存储数据。 RAM中的每个寄存器称为一个字，寄存器中的每一位称为一个存储单元。寄存器的个数（字数）与寄存器中存储单元个数（位数）的乘积，叫做RAM的容量。按照RAM中寄存器位数的不同，RAM有多字1位和多字多位两种结构形式。在多字1位结构中，每个寄存器都只有1位，例如一个容量为1024×1位的RAM，就是一个有1024个1位寄存器的RAM。多字多位结构中，每个寄存器都有多位，例如一个容量为256×4位的RAM，就是一个有256个4位寄存器的RAM。 存储器的分类 RAM ROM 双极型 单极型 静态 动态 ROM PROM EPROM E2PROM 闪速存储器 集成电路存储器的分类 6.2.1 RAM的结构 RAM通常由存储矩阵、地址译码器和读/写控制电路（亦称输入/输出电路）等3大部分组成， 1. 存储矩阵 一个RAM中有许多个结构相同的存储单元，因这些存储单元排列成矩阵形式，故称作存储矩阵。每个存储单元存储一位二进制信息（0或1）. 2. 地址译码器 在RAM中，地址的选择是通过地址译码器来实现的。地址译码器通常有字译码器和矩阵译码器两种。在大容量存储器中，通常采用矩阵译码器，这种译码器将地址分为行地址和列地址译码器两部分， 存储容量=存储单元的数目=行数*列数=字数*位数 X1 例如：1024*1的存储器，可以排列成32*32的矩阵。 A5 A6 A7 A8 A9 A0 A1 A2 A3 A4 行 译 码 器 列 译 码 器 （ 0，0）（ 0，1）（ 0，2）……（0，30）（ 0，31 ） （ 1，0）（ 1，1）（ 1，2）……（1，30）（ 1，31） （ 2，0）（ 2，1）（ 2，2）……（2，30）（ 2，31 ） （30，0）（30，1