第三章电性材料.pptVIP

铁电存储器的应用领域： 强耐辐射能力—— 空间和航天技术应用 优异的读写耐久性—— 电视频道存储器、游戏机数字存储器、汽车里程表和复印机计数器等应用 低电压工作和低功耗——移动电话及射频识别系统中的存储器 高速写入和编程能力，低功耗、长耐久性等——IC卡最理想的存储器。 压电传感器 是利用压电效应制造而成的。压电传感器主要应用在加速度、压力和力等的测量中。 结构简单、体积小、重量轻。 压电传感器 压电式单向测力传感器的结构图 石英晶片、 绝缘套、电极、上盖及基座等组成 压电式加速度传感器的结构图 它主要由压电元件、质量块、预压弹簧、基座及外壳等组成。整个部件装在外壳内，并由螺栓加以固定。 压电式刀具切削力测量示意图 压电传感器位于车刀前部的下方，当进行切削加工时， 切削力通过刀具传给压电传感器，压电传感器将切削力转换为电信号输出，记录下电信号的变化便可测得切削力的变化。 压电式玻璃破碎传感器 （a） 外形; （b） 内部电路 它利用压电元件对振动敏感的特性来感知玻璃受撞击和破碎时产生的振动波。传感器把振动波转换成电压输出，输出电压经放大、滤波、比较等处理后提供给报警系统。  传感器的最小输出电压为100 mV，最大输出电压为100V， 内阻抗为15~20 kΩ。 子弹穿膛 生物医学--心室 压电式玻璃破碎报警器电路框图 PIX-30/4三维扫描仪 采用 动态压电传感器技术对实体物件进行超高精度 扫描，最小间距达50微米。能够扫描的实物包括：各种工业材质、粘土模型、玻璃、水晶、色彩丰富的物件，甚至还包括鲜果和鲜鱼 压电陶瓷微位移器 （纳米级） 光纤的光学定位、光纤熔焊机、生物细胞穿刺、摄像 形状记忆叠层装置的机械夹持器 压电陶瓷点火器 清华大学研制的直径1毫米世界最小超声马达 利用压电晶体的逆压电效应让马达定子处于超声频率的振动，然后靠定子和转子之间的摩擦力来传递能量，带动转子转动。 超声用压电陶瓷换能器 高介电材料 2002年6月25日，摩托罗拉半导体与她的中国合作伙伴南京大学固态微结构国家重点实验室、中国科学院物理研究所联合宣布，经过两年的合作，他们在半导体工艺用高介电材料研究上取得突破性进展：他们推出的铝酸镧(LaAlO)和镧铝氧氮(LaAlON)高介电材料将有望在65纳米以下工艺中作为栅介质层的主要材料，取代目前被普遍采用的二氧化硅，进而推动半导体工艺技术向更小尺寸发展 杂质半导体的示意表示 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － P 型半导体 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + N 型半导体 单晶硅棒 (直拉法) 硅（111）晶面图 硅在太阳能电池上的应用 单晶硅 多晶硅 非晶硅 砷化镓——第二代半导体材料 特点： 化合物半导体，晶体结构是闪锌矿型， 禁带宽度为1.43 eV 容易制成半绝缘材料(电阻率107 ~ 109Ω·cm) 本征载流子浓度低 光电特性好 耐热、抗辐射性能好和对磁场敏感 用途： 光电材料，适合于制造高频、高速的器件和电路，发光二极管、场效应晶体管等。 砷化镓 氮化镓——第三代半导体材料 氮化镓及其相关氮化物材料： 是指元素周期表中ⅢA族元素铝、镓、铟和Ⅴ族元素氮形成的化合物(AlN、GaN、InN，)以及由它们组成的多元合金材料(InxGa1-xN，AlxGa1-xN）等。 特点： 三种晶体结构：纤锌矿、闪锌矿和岩盐矿 宽禁带半导体材料： InN---1.9 eV，GaN---3.4 eV，AlN---6.2eV 用途： 晶体管、 发光管、激光二极管和光电探测器等器件 氮化镓 Wide Band Gap: ~ 3.4 eV High Break down field Large electron saturation velocity: 1.3 x 10-7 cm/s Chemically stable at high T Operate at 400 oC high temperature Short wavelength light emission and high power electronic applications 有机半导体材料及其应用 特点： 是分子型晶体材料，其特征由材料的分子性质决定。有机半导体没有三维晶体点阵，而且它们的分子内和分子间