霍尔式的传感器装置.ppt

霍尔式传感器 2010年3月24日 什么是霍尔式传感器？ 霍尔式传感器是基于霍尔效应原理而将被测量，如电流、磁场、位移、压力、压差、转速等转换成电动势输出的一种传感器。 霍尔式传感器的特点 缺点：霍尔式传感器的转换率较低，温度影响大，要求转换精度较高时必须进行温度补偿。 优点：霍尔式传感器结构简单，体积小，坚固，频率响应宽（从直流到微波），动态范围（输出电动势的变化）大，无触点，使用寿命长，可靠性高，易于微型化和集成电路化，因此在测量技术、自动化技术和信息处理等方面得到广泛的应用。 一、霍尔式传感器工作原理与特性 霍尔效应 若磁感应强度为B的磁场方向垂直于半导体片，在半导体片左右两端通以电流I ，那么半导体中的电子将沿着与电流I的相反方向运动。由于外磁场B的作用，使电子受到磁场力FL(洛仑兹力)而发生偏转，结果在半导体的后端面上电子有所积累而带负电，前端面则因缺少电子而带正电，在前后端面间形成电场。该电场产生的电场力FE阻止电子继续偏转。当FE与FL相等时，电子积累达到动态平衡。这时，在半导体前后两端面之间(即垂直于电流和磁场的方向)建立电场，称为霍尔电场EH，相应的电势就称为霍尔电势UH。这种物理现象就称为霍尔效应。 霍尔电势UH与霍尔元件的材料、几何尺寸、输入电流I及磁感应强度B有关，其关系式为： UH=RHBI (RH为霍尔常数) UH和B、I成正比，提高B、I可增大UH，但B、I增大范围有限，因此霍尔元件越薄（即d越小），RH就越大，所以通常霍尔元件都较薄。薄膜霍尔元件厚度只有1μm左右。 霍尔元件 具有上述霍尔效应的元件称为霍尔元件 。霍尔式传感器就是由霍尔元件所组成。 目前最常用的霍尔元件材料是锗（Ge）、硅（Si）、锑化铟（InSb）、砷化铟（InAs）等半导体材料。 二、霍尔元件的误差及其补偿 由于制造工艺问题以及实际使用时所存在的各种影响霍尔元件性能的因素，如元件安装不合理、环境温度变化等，都会影响霍尔元件的转换精度，带来误差。因此要进行补偿。 （一）霍尔元件的零位误差及其补偿 　　霍尔元件的零位误差包括不等位电动势、寄生直流电动势等。 （二）霍尔元件的温度误差及其补偿 霍尔元件的性能参数如输入和输出电阻、霍尔常数等也随温度而变化，致使霍尔电势变化，产生温度误差。 三、应用 （一）霍尔式位侈传感器 若保持霍尔元件的电流I恒定，而使霍尔元件在一个均匀梯度的磁场中沿x方向移动如下图所示。则输出的霍尔电势为： UH=kX (k为位移传感器的灵敏度 ) 磁场梯度越大，灵敏度越高；磁场梯度越均匀，输出线性度就越好。为了得到均匀的磁场梯度，往往将磁钢的磁极片设计成特殊形状。这种位移传感器可用来测量±0.5mm的小位移，特别适用于微位移、机械振动等测量。 若霍尔元件在均匀磁场内转动，则产生与转角的正弦函数成比例的霍尔电压，因此可用来测量角位移。 （二）霍尔式压力传感器 　　 任何非电量只要能转换成位移量的变化，均可利用霍尔式位移传感器的原理变换成霍尔电势。霍尔式压力传感器就是其中的一种。它首先由弹性元件（可以是波登管或膜盒）将被测压力变换成位移，由于霍尔元件固定在弹性元件的自由端上，因此弹性元件产生位移时将带动霍尔元件，使它在线性变化的磁场中移动，从而输出霍尔电势。 * * *