模拟电子技术原理基础第八章.pptVIP

制作：李金平 第八章 MOS 模拟集成电路 第一节 概述 第二节 MOS 模拟集成单元电路 第三节 MOS 模拟集成运算放大器 第四节 MOS 模拟开关及开关电容电路 第一节 概述 与双极型模拟集成电路相比,MOS模拟集成 电路: 第二节 MOS模拟集成电路 一、MOS 电流源 一、 MOS 电流源 二、 MOS管有源负载 二、 MOS管有源负载 三、 MOS单级放大器 （一）、E/E型NMOS放大器 （二）、E/D型NMOS放大器 （三）、CMOS放大器 （四）、CMOS互补放大器 第三节、MOS集成运算放大器 （一）、5G14573CMOS四运放电路 (1/4)5G14573运放电路分析 第四节 MOS模拟开关及开关电容电路 一、单管 MOS传输门模拟开关 保证MOS模拟开关正常工作的条件 二、开关电容电路（简称SC电路） （一）、SC等效电阻电路 （一）、SC等效电阻电路 （一）、SC等效电阻电路 二、 SC积分器（简称SCI） （三）、SC低通滤波器 本章小结 * { 优点:集成度高(1/5),输入阻抗高,功耗低,制造简单, 动态范围大,成本低. 缺点:增益低,(1/40),工艺匹配性能差,低频噪声大 按MOS工艺分为: 1.PMOS型:电路全部由P沟道FET组成。 2.NMOS型:电路全部由N沟道FET组成。 3.CMOS型:电路由PMOS、NMOS互补器件组成。 一、MOS 电流源 （一）、 MOS镜像电流源（电路如图） T! T2 E Ir I0 T1、T2均工作在恒流区 因为UGS1=UGS2,UT1=UT2,IG=0所以 （一）、 MOS镜像电流源（电路如图） T! T2 E Ir I0 若T1、T2结构对称，则沟道的 宽长比=1。所以 Io=Ir 成镜像关系 （二）、具有多路输出的比例电流源（电路如图） 由（一）可知，若T1、T2 结构不对称，则I0与Ir成 比例，比例系数为沟道的 宽长比之比。设T1、T2、T3 管的沟道宽长比分别为ST1 、ST2、ST3，则有 I02 I03 T3 UDD B S D.G.B S gmUGS gmbUBS rDS I0 U0 （一）增强型（单管）有源负载 将D、G短接，电路如图 R0 R0 等效电路如图 其中： ?称跨导比 显然，适当减小gm(或 ?) ，可提高R0 G.S （二）耗尽型 单管）有源负载 将D、S短接，电路如图 R0 R0 等效电路如图 显然，与增强型MOS有源负载 相比，它具有更高的R0 有源负载的共源MOS放大器常见的电路形式有： 1.E/E型NMOS放大器：放大管和负载管均为N沟道增强型 （E型）的共源放大器。 2. E/D型NMOS放大器：放大管用增强型（E型） ，负载管 用耗尽型（D型），两管均为N沟 的共源放大器。 3.CMOS放大器：使衬、源电压（UBS=0）,并由增强型NMOS 管和增强型PMOS组成的放大器。 4. CMOS放大器：在的基础上，将两管的栅极连在一起作为 输入端。 电路如图 (N1为放大管,N2为负载管) 等效电路如图 (RL2=1/gmb2为N2管的等效电阻) N1 N2 UDD Ui Uo 电压增益: 由于SN1、SN2受工作点限制不能随意 增加，所以AUE较小。 输入电阻：Ri1010? 输出电阻：Ro=rds//RL2 N1 N2 UDD Ui Uo 电路如图 (N1为放大管,N2为负载管) 等效电路如图 (RL2=1/gmb2为N2管的等效电阻) 电压增益: 输入电阻：Ri1010? 输出电阻：Ro=rds//RL2 因为?2为0.1左右,所以AUD比AUE高 一个数量级,增益较高。 显见，比E/E型放大器输出电阻高。 电路如图 : (B、S短接即UBS=0;UGS=0) 等效电路如图 : (P2管的等效负载RL2=rds) rdS2 电压增益： AUC=-gm1(rds1//rds2)=- gm1/(gds1+gds2) gds1+gds2比gm2、gmb2小1~2个数量级，所以，在 同样工作电流条件下，AUC远高于AUE、AUD。 在恒流区，ID越小，AUC越高。 输入电阻：Ri1010? 输出电阻：Ro=rds1//rds2=1/(gds1+gds2) Ro比E/E、E/D放大器的Ro高。 -USS 电