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* 第六章 半导体二极管和三极管 6.1 半导体基础知识 导 体：电阻率小于10-4Ωcm 绝缘体：电阻率大于1010Ωcm 半导体：电阻率介于10-4~1010Ωcm之间 6.1.1 本征半导体 二个电子的共价键 二个电子的共价键 正离子 +4 电子——空穴对的产生 共价键中原来位置留下一个空位 受热挣脱共价键束缚形成自由电子 形成电子——空穴对 在外电场作用下 空穴电流 两部分电流： 本征激发的自由电子形成电子电流； 空穴移动产生的空穴电流 自由电子与空穴都称为载流子 ，在本征半导体中，自由电子和空穴的数目相同 电子运动 空穴运动 束缚电子：x2→x1， x3→ x2； 相当于空穴：x1→x2→x3 外电场E 6.1.2 杂质半导体 N型半导体（电子型半导体）和P型半导体（空穴型半导体） 1．N型半导体 掺入五价杂质元素 杂质原子提供多余的电子, 电子是多数载流子 空穴是少数载流子 2．P型半导体 掺入三价杂质元素 杂质原子提供空穴, 空穴是多数载流子 电子是少数载流子 6.1.3 PN结 1．PN结的形成 空穴扩散 电子扩散 载流子在电场作用下的定向运动称为漂移运动 当扩散和漂移达到动态平衡时，空间电荷区的宽度就稳定下来。PN结就处于相对稳定的状态 电位壁垒UD的大小，硅材料为0.6~0.8V，锗材料为0.2~0.3V 多数载流子的扩散→空间电荷区→内电场 2．PN结的单向导电性 (1) 外加正向电压 外加电压 P→N，外电场削弱内电场，PN结的动态平衡被破坏，在外电场的作用下，P区中的空穴进入空间电荷区，与一部分负离子中和，N区中的自由电子进入空间电荷区与一部分正离子中和，于是整个空间电荷区变窄，从而使多子的扩散运动增强，形成较大的扩散电流，这个电流称为正向电流，其方向是从P区指向N区。这种外加电压接法称为正向偏置 (2) 外加反向电压 外加电压 N→ P，这种情况称为PN结反向偏置。这时，外电场增强内电场的作用。在外电场的作用下，P区中的空穴和N区中的自由电子各自背离空间电荷区运动，使空间电荷变宽，从而抑制了多子的扩散，加强了少子的漂移，形成反向电流。由于少子的浓度很低，因此这个反向电流非常小，反向电流又称为反向饱和电流，通常用Is表示 。 结论 PN结具有单向导电性：PN结正向偏置时，回路中有较大的正向电流，PN结呈现的电阻很小，PN结处于导通状态；当PN结反向偏置时，回路中的电流非常小，PN结呈现的电阻非常高，PN结处于截止状态。 6.2 半导体二极管 6.2.1 二极管的结构与特性 PN结面积小，结电容小，适用于高频和小功率 ，用作高频检波和脉冲开关 点接触型： 面接触型： PN结面积大，可通过较大的电流，电容效应明显。不能用于高频，常用作低频整流 。 1.结构 2.特性 二极管的伏安特性曲线 二极管方程 UT=kT/q为温度电压当量。在常温（T=300K）下，UT≈26mV。 当二极管加正向电压时，若UUT，则， ， 电流与电压基本上为指数关系。 当二极管加反向电压时，U0，若|U|UT，则， ，I≈Is。 Uth称为死区电压或门坎电压。Uth的大小与材料和温度有关，通常硅管约为0.5V，锗管约为0.1V；二极管导通时的正向压降，硅管为0.6~0.8V，锗管为0.2~0.3V。 UBR称为反向击穿电压 6.2.2 二极管的主要参数 1．最大整流电流IF 最大整流电流是指二极管长时间工作时，允许流过二极管的最大正向平均电流，它由PN结的结面积和散热条件决定。 2．最大反向工作电压UR 它是二极管加反向电压时为防止击穿所取的安全电压，一般将反向击穿电压UBR的一半定为最大反向工作电压UR。 3．反向电流IR IR是指二极管加上最大反向工作电压UR时的反向电流。IR愈小，二极管的单向导电性就愈好。此外，由于反向电流是由少数载流子形成的，所以，温度对IR的 影响很大 4．最高工作频率fM fM主要由PN结电容的大小决定，结电容愈大，则fM就越低。若工作频率超过fM，则二极管的单向导电性就变差，甚至无法使用。 二极管主要是利用其单向导电性，通常用于整流、检波、限幅、元件保护等，在数字电路中常作为开关元件。 例6.2.1 在图示电路中，输入电压ui=10sinωtV，试画出电路的输出电压波形。设二极管为理想二极管，正向导通时压降为零，反向偏置时，反向电流为零。 解：对图 a所示电路，由于二极管具有单向导电性，在ui的正半周，D导通，uo1=ui；在ui的负半周，D截止，i=0，uo1=0。 对图b所示电路，当ui5V时，D导通，