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- 2019-06-17 发布于天津
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立二林工商子科卷元第四章晶效晶老班姓名座一每分若晶操作於工作模式下此晶三端之大小何解析晶工作在工作其射接面必接上向偏即集接面接上逆向偏即所以欲使通道增型通其源正正均可零於射耦器的明下列何者共集信而言地同位增益大等於一般用於阻抗流增益大等於晶放大器及如下所示流在不考漏流之下列何者解析共集放大路之增益大於等於甚大於接近但小於下列何者之述入阻抗很高比晶低定性佳流控制元件晶的三半之度下列有晶之描述何者之造是的因此射集可使用之一其低入阻抗甚高的基射之接面向偏基集之接面亦向偏工作在和使具有性放大作用必偏在工
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國立二林工商 電子學科試卷 單元：第四章：電晶體與場效電晶體
老師： 班級： 姓名： 座號：
一. 選擇題 (每題 １ 分)
1、( D ) 若NPN電晶體操作於工作區(active region)模式下，則此NPN電晶體三端(E、B、C)之電壓大小關係為何？ (Ａ)VE VB VC (Ｂ)VB VC VE (Ｃ)VC VE VB (Ｄ)VC VB VE (Ｅ)VB VE VC
解析：電晶體工作在工作區時，其射極接面必須接上順向偏壓（即VB VE），集極接面接上逆向偏壓（即VC VB），所以VC VB VE。
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