半导体物理-第8章-半导体表面和MIS结构.pptVIP

峰值分布：认为界面 态能级连续地分布在 禁带中，其中有两个 高密度峰：一个靠近 导带底为受主界面 态；另一个靠近价带 顶为施主界面态 减少界面态的方法 合理地选择面原子密度小的晶面，如 （100）晶面上生长SiO2，会减小未饱和的 悬挂键的密度，从而使界面态密度下降 通过选择在适当的条件和气氛下对Si- SiO2系统进行退火，来降低表面态的密度 8.4.4 SiO2中的陷阱电荷 Si－SiO2系统在器件工艺，测试或应用中常常 会受高能粒子，这些电磁辐射通过氧化层时，可 以在氧化层中产生电子－空穴对。在偏压作用 下，电子－空穴对中的电子容易运动至外加偏置 电路形成电流，而空穴即被SiO2层中的陷阱陷落 而运动不到电极中去，那么氧化层就带上了正电 荷，这就是陷阱电荷。 Si－SiO2系统C-V特性向负偏压方向平移而出 现平带电压 陷阱电荷在惰性气体中，在300度以上进行低 温退火，可以很快消除 MIS结构的微分电容公式: ① VG0 VS0 表面积累, CS很大, (C/Co)→1, MIS结构的电容呈现为Co ② VG=0, VS=0 平带状态，归一化平带电容 ③ VG0, 0VS 2VB 表面耗尽 ④ VG VT, VS 2VB 表面强反型, CS很大, (C/Co)→1 阈值电压(开启电压)[半导体表面刚达到强反型时所加的栅压] 归一化电容 8.3.3理想MIS结构的高频C-V特性 ? 表面积累,表面耗尽,高低频特性一样 ? VG VT， VS 2VB, 表面强反型 高频时,反型层中电子的增减跟不上频率 的变化,空间电荷区电容呈现的是耗尽层电 容最小值 ? MIS结构的电容也呈现最小值 ——不再随偏压VG呈现显著变化 深耗尽状态 当偏压VG的变化十分迅速, 且其正向幅度大于VT,则: 即使表面势VS2VB ,反型层也来不及建立, 耗尽层宽度随偏压幅度的增大而增大--深耗尽状态 当表面处于深耗尽--随VG增加, d增加(dM), MOS结构的电容不再呈现为最小值. 8.3.4 实际MIS结构的C-V特性 (1) 功函数差异的影响 平带电压 ——为了恢复半导体表面平带状态需要加的电压. 考虑功函数差异的影响: VFB= - Vms (2)绝缘层中电荷的影响 当绝缘层处有一薄层电荷,其面电荷密度为 当绝缘层中有分布电荷 则有: 其中,氧化层中总有效电荷面密度 C-V特性的应用 求氧化层厚度dOX: COX → dOX 求半导体掺杂浓度NA(ND): [C’min + dOX ]→ NA(ND) 计算,或图8-12 求氧化层中总有效电荷面密度QOX: [dOX + NA ] → CFB VFB → QOX 8.4 Si-SiO2系统的性质 1. 二氧化硅中的可动离子 2. 二氧化硅中的固定表面电荷 3. 在硅–二氧化硅界面处的快界面态 4.二氧化硅中的陷阱电荷 8.4.1 二氧化硅中的可动离子 二氧化硅中的可动离子有Na、K、H等，其中最主要而对器件稳定性影响最大的是Na离子。 来源：使用的试剂、玻璃器皿、高温器材以及人体沾污等 为什么SiO2层中容易玷污这些正离子而且易于在其中迁移呢？ 二氧化硅结构的基本单元是一个由硅氧原子组成的四面体，Na离子存在于四面体之间，使二氧化硅呈现多孔性，从而导致Na离子易于在二氧化硅中迁移或扩散。 由于Na的扩散系数远远大于其它杂质。根据爱因斯坦关系，扩散系数跟迁移率成正比，故Na离子在二氧化硅中的迁移率也特别大。 温度达到100摄氏度以上时，Na离子在电场作用下以较大的迁移率发生迁移运动。 作偏压–温度实验，可以测量二氧化硅中单位面积上的Na离子电荷量： 单位面积钠离子电荷数： 可动钠离子对器件的稳定性影响最大 （1）漏电增加，击穿性能变坏 （2）平带电压增加 如何解决钠离子玷污的问题 （1）把好清洁关 （2）磷蒸汽处理 8.4.2 二氧化硅中的固定表面电荷 二氧化硅层中固定电荷有如下特征 电荷面密度是固定的 这些电荷位于Si-SiO2界面200?范围以内 固定表面电荷面密度的数值不明显地受氧化层厚度或硅中杂质类型以及浓度的影响 固定电荷面密度与氧化和退火条件，以及硅晶体的取向有很显著的关系 过剩硅离子是固定正电荷的来源 这些电荷出现在Si-SiO2界面200?范围以内，这个区 域是SiO2与硅结合的地方，极易出现SiO2层中的缺陷及 氧化不充分而缺氧，产生过剩的硅离子 实验证明，若在硅晶体取向分别为[111]、[110]和 [100]三个方向生长SiO2时，他们的硅–二氧化硅结构中 的固定表面电