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维普资讯 2006年第5期 (第 113期) 佛 山 陶 瓷 27 知识讲座 浅谈ZnO压敏电阻器低压化 肖胜根 甘国友 严继康 (昆明理工大学材料与冶金工程学院 昆明 650093) 擅 要 近几十年来，国内外有关ZnO压敏电阻器低压化的研究报道很多。本文对低压化的方法作 了较为系统的归类及评述。并对其发展趋势作了初步探讨。 关健词 ZnO，压敏电阻器，低压 的ZnO品粒 自1968年 日本松下电器公司科学家Matsuoka研制 出ZnO压敏电阻器以来，人们从制备工艺、基础理论 、应 用开发等方面进行了大量研究 】。由于ZnO压敏电阻器性 能优异 ，已广泛应用于各个领域。1975年以前 ，ZnO压敏 电阻器主要用在中、高压方面 ，1975年以后 ，随着 电子计 算机、家用电器、通讯技术 、汽车电子工业等领域的发展， 图 1 微观结构模型示意 图 大量的精密电子线路及芯片、集成电路得到应用，故对保 证这些系统正常运行的低压 ZnO压敏电阻器的需求量也 晶粒尺寸。 不断增加。因此，研究ZnO压敏电阻器的低压化就成为一 2．1减小ZnO压敏电阻器瓷片的厚度 个迫切而又意义重大的课题。 2。1。1减少单圆片式ZnO压敏电阻器瓷片的厚度 根据经验公式(1)可知，对于单圆片式ZnO压敏电阻 2 ZnO压敏 电阻器低压化方法 器。减少瓷片的厚度则可相应地降低压敏电压值。目前， 常用压制成形或轧膜成形来制作瓷片，工艺过程虽简单， 现在．国际上已有一个共识 ：根据 ZnO压敏陶瓷的微 但很难制出很薄的瓷片 。压制出的瓷片极限厚度约为 观结构模型 (见图 1)，ZnO压敏电阻器的压敏电压V．．^可 lmm。而且厚度误差较大 ；用轧膜成形工艺可将瓷片厚度 以表示为： 减小到0．1mm，厚度误差较小 ，但厚度太小、直径大时，容 VI~=NVo=(h／d)×V0 (1) 易出现瓷片变形碎裂、机械强度难以保证等问题。严重影 其中： 响后续工序的成品率 。故该工艺成形 的极限厚度约为 N_ 两电极间串联的平均晶粒数 0．6IIIIIl[3]， 其压敏电压最低为(0。6×1000／30)×3．5=70V。 V 单晶界层击穿电压 由此可见 ，上述低压化方法效果有限，早已工业化生产的 h—— ZnO压敏电阻器瓷片的厚度 单圆片式 ZnO压敏电阻器适用的低压范围不能满足使用 d—— ZnO平均晶粒尺寸[2] 要求。 实现 ZnO压敏电阻器低压化的途径主要有三条 ： 2．1．2薄膜式ZnO压敏 电阻器 (1)减小 ZnO压敏电阻器瓷片 的厚度 ；(2)降低 ZnO压 ZnO压敏电阻器的压敏性质来 自其晶界效应，从经验 敏电阻器瓷片中单晶界层击穿电压；(3)增大 ZnO平均 公式(1)可知 。采用适 当的方法将 ZnO压敏电阻器制成薄 维普资讯 28 FOSHANCERAMICS Vo1．16No．5(SerialNo