《电源学报》2020年第4期宽禁带器件应用技术专辑征.PDFVIP

《电源学报》2020 年第4 期 “宽禁带器件应用技术”专辑征稿启事 作为世界广泛认为能替代硅(Si)的下一代半导体材料，碳化硅(SiC)和氮化 镓(GaN)等宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、击穿场强高、饱和漂移速率高、 热导率高等优点。宽禁带半导体器件是支撑新一代移动通信、新能源汽车、轨道 交通、能源互联网等产业自主创新开发和转型升级的重点核心器件，已成为全球 半导体技术研究前言和新的产业竞争焦点。随着宽禁带半导体在各个领域的快速 渗透，市场应用正在加速，为未来众多产业升级打开了全新的可能性。美国、欧 洲、日本各大功率芯片厂商均已基本开发出各自的宽禁带器件，包括我国在内的 各国政府都在不断推行有利于宽禁带半导体应用的新政策，投入巨资组织相关研 发。参照Yole 和IHS Markit 的数据，2018 年SiC 功率器件市场规模已达到3.9 亿美元，GaN 功率器件市场规模约为0.4 亿美元。 目前，宽禁带器件应用技术已进入示范与准商业化推广阶段：车用电机控制 器、车用无线充电、轨道交通、电力电子变频器等应用均已示范运行，光伏发电、 车载充电、消费类电子产品电源等应用已准商业化运行。但宽禁带器件的具体应 用技术，还有许多问题亟需研究与解决，有必要加