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S3C2410A 中文数据手册（第六章） 第六章 NAND FLASH 控制器 6.1 概述 2 6.2 特性 2 6.2.1 自动导入模式步骤 3 6.2.2NAND FLASH 模式配置 3 6.2.3NAND FLASH 存储器时序 4 6.2.4 管脚配置 4 6.2.5 系统引导和NAND FLASH配置 4 6.2.6NAND Flash存储空间分布 5 6.3 专用寄存器 6 6.3.1NAND FLASH 配置(NFCONF)寄存器 6 6.3.2NAND FLASH 命令设置（NFCMD ）寄存器 7 6.3.3NAND FLASH地址设置 (NFADDR)寄存器 8 6.3.4NAND FLASH 数据 (NFDATA)寄存器 8 6.3.5NAND FLASH ECC (NFECC) 寄存器 9 第 1 页 共 9 页 S3C2410A 中文数据手册（第六章） .0） 6.1 概述 当前，NOR flash存储器的价格比较昂贵，而SDRAM和NAND flash存储器的价格相对来说 比较合适，这样就激发了一些用户产生希望从NAND flash启动和引导系统，而在SDRAM上执 行主程序代码的想法。 S3C2410A恰好满足这一要求，它可以实现从NAND flash上执行引导程序。为了支持NAND flash 的系统引导，S3C2410A具备了一个内部SRAM缓冲器，叫做“Steppingstone”。当系统 启动时，NAND flash存储器的前面4KByte字节将被自动载入到Steppingstone中，然后系统自 动执行这些载入的引导代码。 一般情况下，这4K 的引导代码需要将NAND flash中程序内容拷贝到SDRAM中，在引导代 码执行完毕后跳转到SDRAM执行。使用S3C2410A 内部硬件ECC功能可以对NAND flash的数 据进行有效性的检测。 6.2 特性 NAND Flash模式：支持读/擦/编程NAND flash存储器。 自动导入模式：复位后，引导代码被送入Steppingstone，传送后，引导代码在 Steppingstone中执行。 具备硬件ECC产生模块 (硬件产生，软件纠正) 4-KB 内部SRAM缓冲器Steppingstone，在NAND flash引导后可以作为其他用途使用。 图6-1 NAND flash控制器结构图 第 2 页 共 9 页 S3C2410A 中文数据手册（第六章） 图6-2.NAND flash控制器的工作机制。 6.2.1 自动导入模式步骤 1. 完成复位。 2. 如果自动导入模式使能，NAND flash存储器的前面4K字节被自动拷贝到Steppingstone 内 部缓冲器中。 3. Steppingstone被映射到nGCS0。 4. CPU在Steppingstone的4-KB 内部缓冲器中开始执行引导代码。 注意： 在自动导入模式下，不进行ECC检测。因此，NAND flash的前4KB应确保不能有位错误（一 般Nandflash厂家都确保）。 6.2.2NAND FLASH 模式配置 1. 通过NFCONF寄存器配置NAND flash； 2. 写NAND flash命令到NFCMD寄存器； 3. 写NAND flash地址到NFADDR寄存器； 4. 在读写数据时，通过NFSTAT寄存器来获得NAND flash的状态信息。应该在读操作前或写入 之后检查R/nB信号（准备好/忙信号）。 第 3 页 共 9 页 S3C2410A 中文数据手册（第六章） 6.2.3NAND FLASH 存储器时序 图 6-3. TACLS = 0, TWRPH0 = 1, TWRPH1 = 0 6.2.4 管脚配置 D[7:0] : 数据/命令/地址/ 的输入/输出口（与数据总线共享） CLE : 命令锁存使能 (输出) ALE : 地址锁存使