半导体器件基础及二极管电路.pptVIP

1.3.3 二极管模拟电路 整流电路 限幅电路 稳压电路 ①电阻率ρ不仅和导体的材料有关，还和导体的温度有关。在温度变化不大的范围内，：几乎所有金属的电阻率随温度作线性变化，即ρ=ρo(1+at)。式中t是摄氏温度，ρo是O℃时的电阻率，a是电阻率温度系数。 ②由于电阻率随温度改变而改变，所以对于某些电器的电阻，必须说明它们所处的物理状态。如一个220 V 1OO W电灯灯丝的电阻，通电时是484欧姆，未通电时只有40欧姆左右。 把冰水混合物的温度定为零摄氏度，热力学零度对应-273.15摄氏度，热力学温度的单位是开尔文。热力学零度不可能达到，只能无限接近。如果达到热力学温度，那么所有的热运动都会停止，熵为零。按照辩证唯物主义的观点（一切物体都是运动的），这是不可能的。从热力学角度看，如果要达到0K，必须有一个比他温度更低的物体，接受放出的热量，这显然是不可能的。 * 磷原子中的四个价电子与周围原子的价电子形成共价键，多余的一个价电子因无共价键束缚而很容易形成自由电子。 也称空穴型半导体。三价杂质原子在与硅原子形成共价键时，因缺少一个价电子在共价键中留下一个空穴。 以上三个浓度基本上依次相差约106/cm3 。 * P区的电位高于N区的电位，PN结正偏。外加正向电压有一部分降落在PN结区，方向与PN结内电场方向相反，削弱了内电场的作用，扩散运动加强，打破了扩散运动与漂移运动的动态平衡，PN结呈现低阻性。 * P区的电位高于N区的电位，PN结正偏。外加正向电压有一部分降落在PN结区，方向与PN结内电场方向相反，削弱了内电场的作用，扩散运动加强，打破了扩散运动与漂移运动的动态平衡，PN结呈现低阻性。 * 当外加电压使PN结上压降发生变化时，离子薄层的厚度也相应地随之改变，这相当PN结中存储的电荷量也随之变化，犹如电容的充放电。 * 当外加电压使PN结上压降发生变化时，离子薄层的厚度也相应地随之改变，这相当PN结中存储的电荷量也随之变化，犹如电容的充放电。 * 晶体二极管工作在大信号状态，对模型的精度要求不高。此时二极管可视为单向导电开关。 大信号折线化模型 — PN结视为理想的开关模型。 * * 此题有一个前提，假设二极管导通电阻rD是一个常量，跟Q点无关。 * VD大的抢先导通；同等条件，锗管抢先导通 * VD大的抢先导通；同等条件，锗管抢先导通 * 小信号, 看Q点, 用增量, 定模型. 微变模型: Q点是基础 小信号是条件 线性化是目的 — 用Q点处切线代替曲线 变化量是对象 泰勒级数是工具—Q点泰勒级数去除高次项. * 晶体二极管工作在大信号状态，对模型的精度要求不高。此时二极管可视为单向导电开关。 大信号折线化模型 — PN结视为理想的开关模型。 * * * 小信号, 看Q点, 用增量, 定模型. 微变模型: Q点是基础 小信号是条件 线性化是目的 — 用Q点处切线代替曲线 变化量是对象 泰勒级数是工具—Q点泰勒级数去除高次项. 二极管模拟电路 二极管的电压钳位作用：二极管导通后，两端电压几乎为常量。 硅管：0.7V 锗管：0.3V 分析二极管电路时，可先假设电路中所有二极管都不导通，检查各二极管两端的电压差，电压差大的抢先导通，并钳制电路中的电位。 vD大的抢先导通；硅管和锗管在同等条件下，锗管抢先导通。 二极管应用举例 例4：假设二极管为硅管，阈值电压Vth=0.7V，求各电路的Vp＝？ 2.6V -12V -5.3V 1.3.2 半导体二极管模型 交流小信号模型 (微变模型, 增量模型) 只考虑电路的交流分量. 在小信号情况下，非线性元件在小范围内近似线性化. 以静态工作点Q(VQ, IQ)处的动态值作为线性元件值. 非线性电路分析转化为线性电路分析. 1.3.2 半导体二极管模型 小信号, 看Q点, 用增量, 定模型. Q点是基础 小信号是条件 线性化是目的 — 用Q点处切线代替曲线. 变化量是对象 泰勒级数是工具— Q点泰勒级数去除高次项. 交流小信号模型 二极管应用举例 例5：已知VBB=5 V, R=4.3 k ?, 二极管阈值电压Vth=0.7V，PN结的 体电阻rs＝4 ?，信号电压 求电路的信号电流 i 和二极管两端的信号电压 vd。 解: (1) 找Q点－求静态工作点 例5的电路图 (2) 定参量－计算动态电阻 二极管应用举例 例5：已知VBB=5 V, R=4.3 k ?, 二极管阈值电压Vth=0.7V，PN结的 体电阻rs＝4 ?，信号