IC原理-第1章-集成电路的基本制造工艺.pptVIP

第1章 硅集成电路工艺 1.1 硅衬底材料的制备 1.2 硅集成电路制造工艺 1.2.1 集成电路加工过程简介 1.2.2 图形转换（光刻与刻蚀工艺） 1.2.3 掺杂工艺（扩散与离子注入） 1.2.4 制膜 （制作各种材料的薄膜） 1.3 集成电路生产线 1.4 集成电路封装 1.5 集成电路工艺小结 1.6 集成电路的基本制造工艺 流程 （见教材第1章） 1.1 硅衬底材料的制备 任何集成电路的制造都离不开衬底材料—单晶硅。制备单晶硅有两种方法：悬浮区熔法和直拉法。 悬浮区熔法是在20世纪50年代提出看并很快被应用到晶体制备技术中。用这种方法制备的单晶硅的电阻率非常高，特别适合制作电力电子器件。目前悬浮区熔法制备的单晶硅仅占有很小的市场份额。 随着超大规模集成电路的不断发展，不但要求单晶硅的尺寸不断增加，而且要求所有的杂质浓度能得到精密控制，而悬浮区熔法无法满足这些要求，因此，直拉法制备的单晶硅越来越多地被人们所采用。目前市场上的单晶硅绝大部分是采用直拉法制备得到的。 矽/硅晶圓材料（Wafer） 　 圓晶是制作矽半导体IC所用之矽晶片，狀似圓形，故稱晶圓。材料是「矽」， IC（Integrated Circuit）工厂用的矽晶片即為矽晶体，因為整片的矽晶片是單一完整的晶体，故又稱為單晶体。但在整体固态晶体內，眾多小晶体的方向不相，則為复晶體（或多晶体）。生成單晶体或多晶体与晶体生長時的溫度，速率与雜質都有關系。 生长硅单晶炉示意图 1.2.1 集成电路加工过程简介 一、硅片制备（切、磨、抛） *圆片（Wafer）尺寸与衬底厚度： 3??— 0.4mm 5??— 0.625mm 4??— 0.525mm 6??— 0.75mm 硅片的大部分用于机械支撑。 晶圆处理制程 晶圆处理制程之主要工作为在硅晶圆上制作电路与电子元件（如电晶体管、电容器、逻辑门等），为上述各制程中所需技术最复杂且资金投入最多的过程 ，以微处理器（Microprocessor）为例，其所需处理步骤可达数百道，而其所需加工机台先进且昂贵，动辄数千万一台，其所需制造环境为为一温度、湿度与 含尘（Particle）均需控制的无尘室/超净间（Clean-Room），虽然详细的处理程序是随著产品种类与所使用的技术有关；不过其基本处理步骤通常是晶圆先经过适当的清洗（Cleaning）之後，接著进行氧化（Oxidation）及沉积，最後进行显影、蚀刻及离子注入等反覆步骤，以完成晶圆上电路的加工与制作。 前部工序的主要工艺 晶圆处理制程（Wafer Fabrication；简称 Wafer Fab） 1. 图形转换：将设计在掩膜版(类似于照相底片)上的图形转移到半导体单晶片上 2. 掺杂：根据设计的需要，将各种杂质掺杂在需要的位置上，形成晶体管、接触等 3. 制膜：制作各种材料的薄膜 集成电路工艺 图形转换： 光刻：接触光刻、接近光刻、投影光刻、电子束光刻 刻蚀：干法刻蚀、湿法刻蚀 掺杂： 离子注入 退火 扩散 制膜： 氧化：干氧氧化、湿氧氧化等 CVD：APCVD、LPCVD、PECVD PVD：蒸发、溅射 设计与工艺制造之间的接口是版图。什么是版图？它是一组相互套合的图形，各层版图相应于不同的工艺步骤，每一层版图用不同的图案来表示。版图与所采用的制备工艺紧密相关。 在计算机及其VLSI设计系统上设计完成的集成电路版图还只是一些图像或(和)数据，在将设计结果送到工艺线上实验时，还必须经过一个重要的中间环节：制版。所以，在介绍基本的集成电路加工工艺之前，先简要地介绍集成电路加工的掩模(Masks)及其制造。 通常我们看到的器件版图是一组复合图，这个复合图实际上是由若干个分层图形叠合而成，这个过程和印刷技术中的套印技术非常相像。 制版的目的就是产生一套分层的版图掩模，为将来进行图形转移，即将设计的版图转移到硅片上去做准备。 制版是通过图形发生器完成图形的缩小和重复。在设计完成集成电路的版图以后，设计者得到的是一组标准的制版数据，将这组数据传送给图形发生器(一种制版设备)，图形发生器（PG-pattern generator）根据数据，将设计的版图结果分层的转移到掩模版上(掩模版为涂有感光材料的优质玻璃板)，这个过程叫初缩。 1.2.2 图形转换（光刻与刻蚀工艺） 光刻是加工集成电路微图形结构的关键工艺技术，通常，光刻次