GB/T 11070-2017还原锗锭.pdf

ICS 77.150 H 66 OB 中华人民共和国国家标准 GB/T 11070—2017 代替 GB/T 11070—2006 还原错锭 Reduced germanium ingot 2017-10-14 发布 2018-05-01 实施 发布 GB/T 1 1070—2017 ■ r ■ —— 刖 弓 本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。 本标准代替GB/T 11070—2006«还原错锭》 。本标准与GB/T 11070—2006相比，主要技术变化 如下： ——删除规范性引用文件GB/T 1551,增加GB/T 26074. YS/T 602； -原料要求修改为 “用于生产还原错锭的原料应符合GB/T 11069中高纯二氧化错的规定”； —制备的区熔错锭电学性能要求修改为“RGe-0还原错锭经定向结晶和6次区熔提纯后获得区 熔错锭，其导电类型为N型，电阻率大于47 Q • cm的部分应占区熔错锭长度的60%以上，或 由供需双方协商确定”； ——删除 “外形尺寸”； —将5.4.1中“RGe-0牌号产品批量不大于50 kg”改为 “产品批重不大于100 kg”。 本标准由中国有色金属丁业协会提出。 本标准由全国有色金属标准化技术委员会(SAC/TC 243)归口。 本标准起草单位:南京中错科技有限责任公司、云南临沧鑫圆错业股份有限公司。 本标准主要起草人:刘新军 、普世坤、柯尊斌。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： ——GB/T 11070— 1989,GB/T 11070—2006o T GB/T 1 1070—2017 还原错锭 1范围 本标准规定了还原错锭的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存和质量证明书等。 本标准适用于以高纯二氧化错为原料 ，经氢还原法制备的还原错锭 。产品主要用于制备区熔错锭。 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的 。凡是注日期的引用文件 ，仅注日期的版本适用于本文 件 。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 1550非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T 11069 高纯二氧化错 GB/T 26074错单晶电阻率直流四探针测量方法 YS/T 602区熔错锭电阻率测试方法两探针法 3要求 3.1产品分类 还原错锭按电阻率分为2个牌号：RGe-0 、RGe- 。 RGe -」 阿拉伯数字,表示产品等级 表示还原错锭 3.2原料 用于生产还原错锭的原料应符合GB/T 11069中高纯二氧化错的规定。 3.3电学性能 3.3.1还原错锭的导电类型为N型，电