第七章半导体存储器11.pptVIP

* 第七章 半导体存储器 半导体存储器分类 7.1 只读存储器( ROM ) （Read Only Memory） ROM: 工作时, 存储的内容只能读出，不能写入。它用于存放程序，固定的数据和表格等。 7.1.1 ROM的基本结构及工作原理 ROM主要由地址译码器、存储矩阵和输出电路三部分组成。 输出 存储矩阵 字线 位线 0 0 0 1 0 1 1 1 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 0 0 1 地 址 A1 A0 D3 D2 D1 D0 内 容 矩阵中，字线和位线间有 二级 管的单元，存储 “1”；无二级 管的，存储 “0”。 （1）二级管ROM 矩阵 +VCC W3 W0 W1 W2 D0 D1 D2 D3 （2）MOS 管的ROM 矩阵 矩阵中，字线和位线间有 MOS 管的单元，存储 “0”；无 MOS 管的，存储 “1”。 0 0 0 1 0 1 1 1 1 1 0 0 0 1 1 1 1 0 0 0 0 0 0 1 地 址 A1 A0 D3 D2 D1 D0 内 容 以上两种称为掩膜ROM，其存储矩阵中的内容在出厂时已被固定，用户不能修改。 （3） PROM 字线 位线 熔断丝 将熔丝烧断，字线、位线在此交叉，该单元变成“0”。 PROM是一种可编程序的 ROM ，采用熔丝结构，只给用户一次编程机会。在出厂时全部存储 “1”，用户可根据需要将某些单元改写为 “0” 。 （5） EPROM 是可以改写多次，存储的信息可以用紫外线照射擦除，然后又可以重新编制信息的ROM 。 （6） EEPROM，Flash ROM是可以在线，电可擦除和编程的ROM 。有并行和串行两种。 ROM D/A 计数器 CP 计数脉冲 送示波器 3 4 A1 A2 A0 D3 D2 D1 D0 D/A 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 2 4 8 12 9 6 3 7.1.2 ROM的应用举例——波形发生器 RAM特点：工作中，可随机对存储器的任意单元进行读、写。 Random Access Memory . . . 按功能 分：RAM 可分为 静态、动态两类； 按所用器件分：可分为双极型和 MOS型两种。 7.2 随机读写存储器( RAM ) 按读写方式分：可分为单口形和双口型两种。 静态：数据写入后，不掉电数据不会丢； 动态：指数据写入后，要定时刷新，否则不掉电数据也会丢。 单口形：不能同时读、写；双口型：能同时读、写。 RAM结构示意图 芯片使能 读写控制 输出使能 Q Q 7.2.1 静态基本存储单元 T1~ T4 构成基本 R-S触发器 六管存 储单元 T5、T6为门控管 T7、T8为数据线控制管 1、静态RAM存储单元 （1）写操作 Xi有效，T5，T6；Yj 有效T7，T8开通。数据被写入存储单元。 （2）读操作 Xi有效，T5，T6；Yj 有效T7，T8开通。数据从存储单元被读出。 C 2、动态RAM存储单元 三管存 储单元 读写控制电路 信息存在电容上 数据输出线 数据输入线 （1）写操作 （2）读操作 （3）刷新操作 1）Xi有效时自动刷新； 2）读操作时，同时刷新。 Xi有效，T1，T3导通；Yj 有效T4，T5开通。R/W=0，数据从Di被写入存储单元——电容。 Xi有效，T1，T3导通；Yj 有效T4，T5开通。R/W=1，数据从Do端被读出。 C 3、RAM结构示意图 D0 D1 D2 D3 A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A8 R/ 256×4 RAM 存储器容量： 32行×32列矩阵 256×4 （字数）×（位数） 256个字，宽度4位的阵需：32根行线、8根列线。 （1） 存储矩阵 随机存取存储器RAM 当Xi和Yj有效时，一个字的四个存储单元被选中。 A7~A0，选中哪个单元? 256个字需要8根地址线A7~A0即可全部寻址。 （2）地址译码 25=32 译码器 A5 A6 A7 23=8 1 1 1 1 1 0 0 0 字线 位线 [31，0] ? ? ? ? ? ? 2） =0时，芯片被选中。R/W=1时， G5输出“1” ，G3导通； G4输出“0”， G1、G2高阻态截止，读