第2章集成电路中的晶体管及其寄生效应09.ppt

第2章 集成电路中的晶体管及其寄生效应 2.1 集成电路中的双极晶体管模型 2.2 集成双极晶体管的有源寄生效应 2.3 集成双极晶体管的无源寄生效应 2.4 集成电路中的PNP管 2.5 集成二极管 2.6 肖特基势垒二极管(SBD)和肖特基箝位晶体管(SCT) 2.7 MOS集成电路中的有源寄生效应 2.8 集成电路中的MOS晶体管模型 p-n结二极管的分析和模拟是双极结型晶体管（BJT）原理和模拟的基础。 BJT是由两个背靠背的p-n结，并由一个半导体薄区串联而成的。 在发射结处于正向偏压（低阻抗），而集电极处于反向偏压（高阻抗）下，由发射结注入的少子电流几乎全部输运到集电结，使器件具有放大作用。当器件状态处于有源区时，就有功率增益。 NPN BJT是两个半导体晶体的n型区由中间的p型区耦合起来的；而PNP BJT是两个p型区由中间的n型区耦合起来的。实际上，所有三个区域都是半导体单晶的一部分。在这种器件中，电流的描述涉及空穴和电子的运动，所以称作为双极型晶体管。 Ebers and Moll 晶体管方程 为了更容易地分析含有BJT的电子电路，通常将BJT模拟为二端电路元件。用二个电流和二个电压足以能分析BJT的工作原理，这里将BJT模拟为黑匣子（black box）。NPN晶体管的共基极连接如图所示，图中表示输入电流IE和电压VBE，以及输出电流IC和电压VBC。BJT可以看作二个耦合的二极管，其电流-电压方程与二极管的电流-电压方程相类似。事实上，这些方程可为： 加上Kirchoff定律规定的二个方程： 构成四个方程。假如Aij确定的话，四个方程中还有6个未知的电流和电压参数。如果给出二个电流或电压值，其它四个电流与电压值就可确定。这四个公式对于晶体管模拟是非常有用的，尤其是在计算机辅助电路分析中，而且并不仅仅限制在低水平注入条件。这些方程通常称为Ebers-Moll方程。 集成NPN的结构与寄生效应 为了在一个基片上制造出多个器件，必须采用隔离措施，pn结隔离是一种常用的工艺。在pn结隔离工艺中，典型NPN集成晶体管的结构是四层三结构，即NPN管的高浓度n型扩散发射区-NPN管的p型扩散基区-n型外延层（NPN管的集电区）-p型衬底四层，以及四层之间的三个pn结这样的工艺结构。 集成NPN管的有源寄生效应 四层三结结构 ：典型集成晶体管的四层三结结构--指NPN管的高浓度n型扩散发射区N+-NPN管的p型扩散基区-n型外延层（NPN管的集电区）nepi （ epitaxial 外延的）-p型衬底四层p-Si ，以及四层之间的三个pn结这样的工艺结构EB（ Emitter—Base ）结 、BC（ Base-Collector ）结、 CS结（ Collector-Substrate ） 。 寄生PNP管处于放大区的三个条件： (1) EB结正偏（即NPN管的BC 结正偏） (2) BC结反偏（即NPN管的CS 结反偏） (3) 具有一定的电流放大能力（一般 ?pnp=1~3） 其中，条件(2)永远成立，因为pn结隔离就是要求衬底P+隔离环接到最低电位。条件(3)一般也很容易达到。条件(1)能否满足则取决于NPN管的工作状态。 基本概念 1 埋层的上反扩散-在工艺制造过程中的各高温条件下，在浓度梯度的作用下，高浓度的n型埋层向低浓度的n型外延层的扩散。 2 埋层的下反扩散-在工艺制造过程中的各高温条件下，在浓度梯度的作用下，高浓度的n型埋层向低浓度的p型衬底的扩散。 3 典型集成电阻的三层二结结构-指p型扩散电阻区-n型外延层-p型衬底三层，以及三层之间的两个pn结这样的工艺结构。 4典型集成晶体管的四层三结结构--指npn管的高浓度n型扩散发射区-npn管的p型扩散基区-n型外延层（npn管的集电区）-p型衬底四层，以及四层之间的三个pn结这样的工艺结构。 5 有源寄生-存在寄生晶体管的现象，可为寄生pnp管（衬底参与构成的pnp管），也可为寄生npn管（多发射极输入晶体管各发射区与基区构成的npn管）。 6无源寄生-存在寄生元件的现象，可为寄生电容，也可为寄生电阻。 寄生PNP工作状态与NPN工作状态的关系 （2）可采用外延层掺金工艺，引入深能级杂质，降低少子寿命，从而降低? ???。掺金工艺是在NPN管集电区掺金（相当于在PNP管基区掺金）。掺金的作用，使PNP管基区中高复合中心数增加，少数载流子在基区复合加剧，由于非平衡少数载流子不可能到达集电区从而使寄生PNP管电流放大系数大大降低。 （