电力场效应晶体管.ppt

*/85 2.4.3 电力场效应晶体管 ◆电力MOSFET的主要参数 ●跨导Gfs、开启电压UT以及开关过程中的各时间参数。 ●漏极电压UDS ▲标称电力MOSFET电压定额的参数。 ●漏极直流电流ID和漏极脉冲电流幅值IDM ▲标称电力MOSFET电流定额的参数。 ●栅源电压UGS ▲栅源之间的绝缘层很薄，?UGS?20V将导致绝缘层击穿。 ●极间电容 ▲ CGS、CGD和CDS。 ●漏源间的耐压、漏极最大允许电流和最大耗散功率决定了电力 MOSFET的安全工作区。 */85 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 ◆ GTR和GTO是双极型电流驱动器件，由于具有电导调制 效应，其通流能力很强，但开关速度较低，所需驱动功率 大，驱动电路复杂。而电力 MOSFET是单极型电压驱动器件，开关速度快，输入阻抗高， 热稳定性好，所需驱动功率小而且驱动电路简单。绝缘栅 双极晶体管（Insulated-gateBipolar Transistor——IGBT或IGT） 综合了GTR和MOSFET的优点，因而具有良好的特性。 */85 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 ◆ IGBT的结构和工作原理 ● IGBT的结构 ▲是三端器件，具有栅极G、集电极C 和发射极E。 ▲由N沟道VDMOSFET与双极型晶体管 组合而成的