非晶碳膜的压阻效应From-浙江海洋材料与防护技术重点室.PPTVIP

* 广义的压阻效应：材料发生形变之后，电阻发生变化的现象 * 电阻变化一方面依赖于材料形貌的变化，一方面依赖于电阻率的变化：形貌对于GF贡献一般为1.4～2。对于金属材料，形变贡献约为0.3，而对于Si，Ge等材料在某些方向上，其贡献可为形貌的50～100倍 * 金属：与半导体应变仪比，g值较小，应用广泛，不需要半导体的掺杂等后续过程，处理温度较低；与Si相比，断裂前的伸长率更大，在聚合物MEMS（微机电系统）中可以提高其机械性能。 * CNTs：压阻效应来源能带shift * 与异质外延C以及poly-C相比，非晶碳膜对于基底生长时的温度要求低，生产成本低，工艺简单，不需要额外掺杂，与a-Si 和c-Si:H相比，摩擦性能更好，在恶劣环境下更稳定。 * * 从能量最低的角度解释团簇现象：非局域的π键促进sp2 site先配对形成类乙烯结构中的C=C键，然后结合形成平面6元苯环，最终团聚到一起，在sp3基质中形成芳香环，石墨团簇结构。团簇过程中π键增强，形成带边，决定了带宽。 非晶C膜无序性不利于団簇行为，导致团簇尺寸很小，只有2—10个原子。从能量角度讲，sp2 site更倾向于形成环状而不是链状结构，但是这种转化不足以克服无序能。 变形的団簇具有小得多的带隙，并且带隙是由环或者是链的扭曲决定，而不是団簇的尺寸。 其中无序势为ΔV，无序势与带宽B（配位数Z与相互作用能V的乘积